Микросхема SG3525A DIP16 (KA3525)

Микросхема SG3525A DIP16 (KA3525)

Артикул: 280538

СХЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНЫМ МОДУЛЯТОРОМ

3,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
DIP16
280538

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор IRFR9120N
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR9120N

276481
2,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 18 nC Сопротивление сток-исток...
View

В этой категории 16 товаров:

Микросхема TDA2003 (К174УН14)
Микросхемы импортные

Микросхема TDA2003 (К174УН14)

260363
5,28 BYN
дает возможность собрать простой усилитель звуковой частоты, при использовании минимального количества внешних компонентов. При этом она обеспечивает высокую нагрузочную способность по току (до 3.5 А) и очень низкие уровни гармоник и перекрестных помех. Безопасная работа обеспечивается защитой от короткого замыкания по постоянному и переменному току,...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор BD139 orig.
Биполярные транзисторы

Транзистор BD139 orig.

275137
1,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Микросхема NE555N dip-8
Микросхемы импортные

Микросхема NE555N dip-8

264602
1,32 BYN
 представляют собой времязадающую схему (таймер).Предназначены для формирования импульсов напряжения длительностью от нескольких микросекунд до десятков минут, обнаружения сбоя в импульсной последовательности, обеспечения прецизионной временной выдержки и для применения в стабильных датчиках времени, генераторах импульсов, широтноимпульсных, частотных и...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.