Транзистор IRF740

Транзистор IRF740

Артикул: 259901

N-Channel 400V, 10A, 125W_Аналог STP11NK40Z (ST), D84EQ2, VN2340N5 ,аналог отечественный КП740.

10,47 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
259901
Новый товар

Просмотренные товары

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор SIF444
Полевые транзисторы

Транзистор SIF444

276715
17,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 55 W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 600 V Максимально допустимый постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
View
Транзистор H7N65C to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H7N65C to220f

293233
5,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 52 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор K3114
Полевые транзисторы

Транзистор K3114

276620
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 6 ns Выходная емкость (Cd): 115 pf...
View
Транзистор K669
Полевые транзисторы

Транзистор K669

276647
1,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.1 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Выходная емкость (Cd): 6 pf Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор FDPF33N25T
Полевые транзисторы

Транзистор FDPF33N25T

279544
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 37 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 33 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
View
Транзистор AOD2910
Полевые транзисторы

Транзистор AOD2910

295042
7,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 53.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.7 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 31 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
View
Транзистор AOD444 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор AOD444 dpak (to252)

293028
5,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания...
View
Транзистор H60NF06 d2pak (to263)
Полевые транзисторы

Транзистор H60NF06 d2pak (to263)

293215
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор IRFB1404
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB1404

276433
12,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 162 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 160 nC Выходная емкость (Cd):...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор MMBT5551
Биполярные транзисторы

Транзистор MMBT5551

275739
0,32 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.