Транзистор 2SA1215 MT200

Транзистор 2SA1215 MT200

Артикул: 302893

Двухполюсный плоскостной транзистор

66,52 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)
160 V
hFE Min
50 @5A, 4V
Максимальная входная мощность
150 W
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Корпус/Пакет
MT-200
размеры
Корпус/Пакет
MT-200
физическое
Рабочая Температура
150℃ (TJ)
302893

Просмотренные товары

Транзистор КТ907А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ907А Au

301220
16,20 BYN
Транзисторы КТ907А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В.Используются для работы в составе электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор BLT50/T1
Биполярные транзисторы

Транзистор BLT50/T1

275207
8,24 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25 SOT223
Транзистор 2SC5239 TO220F
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5239 TO220F

304115
11,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 550 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC5597
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5597

275531
27,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 22 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD2334
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2334

292935
12,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор D2098
Биполярные транзисторы

Транзистор D2098

275645
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SC5144 2-21F1a
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5144 2-21F1a

275456
26,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1944
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1944

304499
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SC111M TO92s
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC111M TO92s

303462
4,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Транзистор 2SD1664
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1664

304374
3,20 BYN
Маркировка: DAP_DAQ_DAR Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz Статический коэффициент передачи тока...
Транзистор A1533
Биполярные транзисторы

Транзистор A1533

275003
0,80 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В Напряжение коллектор-база, не более: -80 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 90 до 220 Граничная частота коэффициента передачи тока: 120 МГц
Транзистор 2SC2921 MT200
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2921 MT200

275347
64,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 18 MT-200
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.