Транзистор IXTP60N20T

Транзистор IXTP60N20T

Артикул: 304587
27,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 500 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 73 nC

Время нарастания (tr): 118 ns

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO220

304587

Просмотренные товары

Транзистор 2Т640А-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т640А-2 Au

301053
21,60 BYN
Транзисторы 2Т640А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот 1...7,2 ГГц в схеме ОБ в составе гибридных интегральных микросхем.Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.Транзисторы 2Т640А-2, 2Т640А1-2...
Транзистор J377
Полевые транзисторы

Транзистор J377

276552
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2Т382Б
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т382Б

300994
2,20 BYN
Транзисторы 2Т382Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот.Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в...
Транзистор 2Т841А
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т841А

300788
10,80 BYN
Транзисторы 2Т841А кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.Транзисторы 2Т841А, 2Т841Б, 2Т841В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Тип прибора указывается...
Транзистор 2Т399А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т399А Au

301003
10,80 BYN
Транзисторы 2Т399А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот.Транзисторы 2Т399А, КТ399А выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на...
Стеклотекстолит FR-4 2,0 х 200 х 300 мм
Стеклотекстолит листы и прутки FR-4

Стеклотекстолит FR-4 2,0 х 200 х 300 мм

12613
32,00 BYN
FR-4 – это материал, получаемый из электрической стеклоткани, пропитанной эпоксидной смолой под действием тепла и давления. Данный вид полимера отличается высокой механической прочностью и диэлектрическими свойствами, а также превосходной устойчивостью ко всем видам растворителей и кислотных химических веществ. Соответствующий для компонентов высокой...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 13NM60 to220
Полевые транзисторы

Транзистор 13NM60 to220

293165
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1286
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1286

304715
18,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 30 nC Время нарастания (tr): 160...
Транзистор SSF7509
Полевые транзисторы

Транзистор SSF7509

307604
9,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 165 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 93.6 nC Время нарастания (tr):...
Транзистор IRFS634B
Полевые транзисторы

Транзистор IRFS634B

276484
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 37N50A
Полевые транзисторы

Транзистор 37N50A

275993
18,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 446 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRF641
Полевые транзисторы

Транзистор IRF641

276386
4,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm Тип корпуса: TO220
Транзистор SSF10N90A
Полевые транзисторы

Транзистор SSF10N90A

302445
33,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.