Транзистор AP2761I-A

Транзистор AP2761I-A

Артикул: 276192

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 37 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 53 nC

Время нарастания (tr): 20 ns

Выходная емкость (Cd): 320 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1 Ohm

Тип корпуса: TO220F

13,60 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276192
Новый товар

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SJ174
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ174

304654
24,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 125 ns Выходная емкость (Cd): 990 pf...
View
Транзистор 80N60UFD
Полевые транзисторы

Транзистор 80N60UFD

276097
20,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 70 TO3P
View
Транзистор IRL3715Z
Полевые транзисторы

Транзистор IRL3715Z

276528
5,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.55 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Сопротивление...
View
Транзистор IRFB3307
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB3307

282461
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 75 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 120 A Общий заряд затвора (Qg): 79 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0058 Ohm
View
Транзистор FDS8978
Полевые транзисторы

Транзистор FDS8978

276349
3,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 17 nC Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор AP9926GEM
Полевые транзисторы

Транзистор AP9926GEM

311843
25,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 9 ns Выходная емкость (Cd): 190 pf...
View
Транзистор FQPF6N90C
Полевые транзисторы

Транзистор FQPF6N90C

312607
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 56 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 8NA60
Полевые транзисторы

Транзистор 8NA60

276112
23,60 BYN
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CВыходная емкость (Cd): 1690 pfСопротивление сток-исток открытого...
View
Транзистор 9N60
Полевые транзисторы

Транзистор 9N60

276119
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор IRFP4227
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP4227

259927
28,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 330 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 65 A Общий заряд затвора (Qg): 70 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025 Ohm
View
Транзистор 2SK2002
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2002

304756
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Транзистор APM1101N
Полевые транзисторы

Транзистор APM1101N

276245
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04...
View
Транзистор K2541
Полевые транзисторы

Транзистор K2541

276591
0,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 21 Ohm TO92S
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.