Транзистор IRF7821PBF

Транзистор IRF7821PBF

Артикул: 303224

Труба MOS

7,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Номинальное Напряжение (DC)
30.0 V
Номинальный Ток
13.6 A
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
2.5 W
Серия Деталей
IRF7821
Напряжение Сток-исток (Vds)
30 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
30.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
13.6 A
Время Нарастания
2.7 ns
Входная емкость (Ciss)
1010pF @15V(Vds)
Максимальная входная мощность
2.5 W
Время падения
7.3 ns
Рабочая температура (Макс)
155 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
2500 mW
пакет
Стиль Монтажа
Surface Mount
Количество Выводов
8
Корпус/Пакет
SOIC-8
размеры
Корпус/Пакет
SOIC-8
303224

Просмотренные товары

Лавсан лента ПЭТ (белая) 0,125 х 660 мм / 1 кг
Пленка ПЭТ, лента ПЭ

Лавсан лента ПЭТ (белая) 0,125 х 660 мм / 1 кг

18698
115,00 BYN
Лавсан отличается низким коэффициентом трения, стабильностю размеров при воздействии температуры и влажности, прочностью на сжатие даже при низких температурах, а также превосходной обрабатываемостью. Данный материал очень плотный, поэтому он не обладает высокой ударопрочностью.Возможна модификация лавсана при добавлении других полимеров, но эта операция...
Лавсан лента ПЭТ (белая) 0,15 х 590 мм / 1 кг
Пленка ПЭТ, лента ПЭ

Лавсан лента ПЭТ (белая) 0,15 х 590 мм / 1 кг

19099
109,00 BYN
Лавсан отличается низким коэффициентом трения, стабильностю размеров при воздействии температуры и влажности, прочностью на сжатие даже при низких температурах, а также превосходной обрабатываемостью. Данный материал очень плотный, поэтому он не обладает высокой ударопрочностью.Возможна модификация лавсана при добавлении других полимеров, но эта операция...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK955
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK955

304910
16,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 2SJ103GR to92
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ103GR to92

292944
4,80 BYN
Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -0.014 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 270 ом при-0.05a, -0.01в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.3 Крутизна...
Транзистор FQP36P15P to3P
Полевые транзисторы

Транзистор FQP36P15P to3P

293123
35,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор K2188
Полевые транзисторы

Транзистор K2188

276579
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 70* ns Выходная емкость (Cd): 200 pf...
Транзистор K3929-01MR
Полевые транзисторы

Транзистор K3929-01MR

276636
5,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 7 ns Выходная емкость (Cd): 150 pf...
Транзистор 2SK4005 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK4005 to220f

292995
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 5.6 ns Выходная емкость (Cd): 100 pf...
Транзистор H2N60 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H2N60 to220

293188
4,40 BYN
Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.6...
Транзистор IRF7328
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7328

276398
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Общий заряд затвора (Qg): 52 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.032 Ohm Тип корпуса:...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.