Транзистор 2SK3530

Транзистор 2SK3530

Артикул: 264838

SuperFAP-G, N-канал, 800В, 7А, 1.9Ом [2-10R1B / TO-220F]

10,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Наименование прибора: 2SK3530-01MR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 7 ns

Выходная емкость (Cd): 105 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.46 Ohm

Тип корпуса: TO220F

264838
Новый товар

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор H3N60 метал
Полевые транзисторы

Транзистор H3N60 метал

293193
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 50 pf...
Транзистор 2SK3296
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3296

304849
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 35 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 1220 ns Выходная емкость (Cd): 570 pf...
Транзистор SI2301DS ( A1SHB )
Полевые транзисторы

Транзистор SI2301DS ( A1SHB )

276710
0,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 36 ns Выходная емкость (Cd): 223 pf...
Транзистор 2SK3467
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3467

304858
16,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 76 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 23 ns Выходная емкость (Cd): 1200 pf...
Транзистор ME04N25 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор ME04N25 dpak (to252)

293301
5,60 BYN
Наименование прибора: ME04N25 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.3 A Максимальная температура...
Транзистор IRF9520N
Полевые транзисторы

Транзистор IRF9520N

259910
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 18 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор 2SJ598
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ598

304676
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 23 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 4 ns Выходная емкость (Cd): 150 pf...
Транзистор IRGB4062D
Полевые транзисторы

Транзистор IRGB4062D

276512
17,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.95V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 48A TO220AB
Транзистор 7NC80ZFP ( 7N80 )
Полевые транзисторы

Транзистор 7NC80ZFP ( 7N80 )

276091
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
транзистор IRF7418
Полевые транзисторы

транзистор IRF7418

312616
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.