Транзистор HGT1S7N60A4DS

Транзистор HGT1S7N60A4DS

Артикул: 304465
34,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

технические

Номинальная Мощность125 W

Рассеяние Мощности125000 mW

Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)600 V

Обратное время восстановления34 ns

Максимальная входная мощность125 W

Рабочая температура (Макс)150 ℃

Рабочая температура (мин)-55 ℃

Рассеиваемая Мощность (Макс)125000 mW

пакет

Стиль МонтажаSurface Mount

Количество Выводов3

Корпус/ПакетTO-263-3

размеры

Высота4.83 mm

Корпус/ПакетTO-263-3

физическое

Рабочая Температура-55℃ ~ 150℃ (TJ)

304465

В этой категории 16 товаров:

Транзистор APM1101N
Полевые транзисторы

Транзистор APM1101N

276245
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04...
Транзистор H1NK60Z sot223
Полевые транзисторы

Транзистор H1NK60Z sot223

293178
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Транзистор FQB12P20
Полевые транзисторы

Транзистор FQB12P20

302485
19,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 31 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор 2SK1940
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1940

292963
22,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 24N60M2
Полевые транзисторы

Транзистор 24N60M2

275963
12,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор STP60NS04Z to220
Полевые транзисторы

Транзистор STP60NS04Z to220

293423
13,20 BYN
Наименование прибора: STP60NS04ZB Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 33 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Общий заряд затвора (Qg): 48 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.015 Ohm Тип корпуса: TO220
Транзистор AP9960GM
Полевые транзисторы

Транзистор AP9960GM

276229
4,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.8 A Время нарастания (tr): 6.3 ns Выходная емкость (Cd): 235 pf...
Транзистор 2SK1539
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1539

304738
21,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 72 nC Время включения (ton): 115...
Транзистор IRF5210
Полевые транзисторы

Транзистор IRF5210

259873
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 180 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор AF4512 smd
Полевые транзисторы

Транзистор AF4512 smd

293005
5,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20...
Транзистор R5016ANX
Полевые транзисторы

Транзистор R5016ANX

276680
14,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 16 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор RSS065N06 sop8
Полевые транзисторы

Транзистор RSS065N06 sop8

293370
9,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.