Транзистор BD650

Транзистор BD650

Артикул: 312585
  • Структура - p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
  • Ток коллектора, не более: -8 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 62.5 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750
16,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
312585

Просмотренные товары

Микросхема ADG438FBN
Микросхемы импортные

Микросхема ADG438FBN

305087
16,80 BYN
Тип мультиплексор Конфигурация 1 x 8:1 Сопротивление канала во включенном состоянии (Max), Ом 270(тип) Напряжение питания: одиночное (В+), двойное (В±) +15, ±15 Время включения, Ton (Max), нс 230 Время отключения, Toff (Max), нс 130 Рабочая температура, °C -40…+125 Корпус soic-16 Вес, г 0.9
Транзистор 2SA1560
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1560

292803
2,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 170...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC3853
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3853

303796
27,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Транзистор 2SC5270
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5270

304120
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC5227
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5227

275461
3,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC3209
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3209

303685
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Транзистор MPSA14
Биполярные транзисторы

Транзистор MPSA14

275749
1,92 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC5423
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5423

304141
18,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор BUL39D
Биполярные транзисторы

Транзистор BUL39D

311590
8,00 BYN
Наименование производителя: BUL39D Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A...
Транзистор 2SC3597
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3597

303780
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SA1329
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1329

312443
5,60 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В Напряжение коллектор-база, не более: -80 В Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V Ток коллектора, не более: -12 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 240 Граничная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц Корпус: TO-220
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.