Транзистор P3055LS

Транзистор P3055LS

Артикул: 302707
13,00 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 5.7 nC

Время нарастания (tr): 22 ns

Выходная емкость (Cd): 114 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.072 Ohm

Тип корпуса: SOT223

302707

Просмотренные товары

Микросхема LM2576S-5.0
Микросхемы импортные

Микросхема LM2576S-5.0

277615
3,60 BYN
представляет собой импульсный (ШИМ) стабилизатор напряжения с фиксированным выходным напряжением 5,0 В и максимальным током до 3,0 А.Микросхема имеет тепловую защиту и защиту по выходному току.Предназначена для работы в радиоаппаратуре и электронной технике широкого применения.
Транзистор 2SC3264 MT200
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3264 MT200

303749
89,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 17 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор IRF5210
Полевые транзисторы

Транзистор IRF5210

259873
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 180 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор TIP111
Биполярные транзисторы

Транзистор TIP111

275804
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор Si4816ADY
Полевые транзисторы

Транзистор Si4816ADY

293391
13,60 BYN
Наименование прибора: SI4816DY Тип транзистора: FET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 8 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 8 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор FDPF33N25T
Полевые транзисторы

Транзистор FDPF33N25T

279544
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 37 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 33 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Транзистор 65NF06 (STP65NF06,P65NF06) to-220
Полевые транзисторы

Транзистор 65NF06 (STP65NF06,P65NF06) to-220

265420
11,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор ME35N10A
Полевые транзисторы

Транзистор ME35N10A

311963
7,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27.8 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 28.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий...
Транзистор IRG4PH30K
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4PH30K

276505
14,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10A Максимальная температура перехода (Tj): 175 TO247
Транзистор 12N80AN
Полевые транзисторы

Транзистор 12N80AN

275889
11,84 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 390 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 12 ns Выходная емкость (Cd): 315 pf...
Транзистор P4404DG
Полевые транзисторы

Транзистор P4404DG

293343
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 9.2 ns Выходная емкость (Cd): 180 pf...
Транзистор TK6A60D
Полевые транзисторы

Транзистор TK6A60D

276742
4,44 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.