Транзистор IRFI4212H-117P

Транзистор IRFI4212H-117P

Артикул: 303317

Труба MOS 

11,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
58 mΩ
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
18 W
Серия Деталей
IRFI4212H-117P
Пороговое Напряжение
5 V
Напряжение Сток-исток (Vds)
100 V
Входная емкость (Ciss)
490pF @50V(Vds)
Максимальная входная мощность
18 W
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
5
Корпус/Пакет
TO-220-5
размеры
Корпус/Пакет
TO-220-5
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃
303317

Просмотренные товары

Микросхема 564ЛА10
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ЛА10

264324
12,00 BYN
Цифровая микросхема серии КМОП.Микросхема 564ЛА10 представляет собой два логических элемента 2И-НЕ с открытым стоковым выходом.Содержит 30 интегральных элементов.Корпус типа 401.14-5, масса не более 1 г.Технические условия: бК0.347.064-24ТУ.Рабочая температура: -60...+125°С.Ток потребления: не более 0,12 мА.Напряжение питания: 4,2-13,5 В.
2Д213А
Диоды (разные)

2Д213А

313450
28,48 BYN
Диоды 2Д213А кремниевые, эпитаксиально-планарные выпрямительные.Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц в аппаратуре специального назначения.Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами.Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.Отрицательный электрод соединен с...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRF8714
Полевые транзисторы

Транзистор IRF8714

276422
1,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.35 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Транзистор H75NF75
Полевые транзисторы

Транзистор H75NF75

293232
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 75 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Транзистор P4404DG
Полевые транзисторы

Транзистор P4404DG

293343
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 9.2 ns Выходная емкость (Cd): 180 pf...
Транзистор SPW24N60C3
Полевые транзисторы

Транзистор SPW24N60C3

312634
23,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 240 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 24.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий...
Транзистор 380N60E
Полевые транзисторы

Транзистор 380N60E

275994
7,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 106 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C...
Транзистор IRFD9110
Полевые транзисторы

Транзистор IRFD9110

312617
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.7 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор AP4503GM
Полевые транзисторы

Транзистор AP4503GM

276196
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.9(6.3) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 19NM50N
Полевые транзисторы

Транзистор 19NM50N

275936
11,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFR9110
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR9110

276480
3,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1060
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1060

304695
16,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 40 ns Выходная емкость (Cd): 250 pf...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.