Транзистор IRFR6215

Транзистор IRFR6215

Артикул: 303395
10,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 66(max) nC

Время нарастания (tr): 36 ns

Выходная емкость (Cd): 220 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.295 Ohm

Тип корпуса: TO252

303395

Просмотренные товары

Диоды СВЧ Д603 "5"
Диоды СВЧ

Диоды СВЧ Д603 "5"

294831
1,60 BYN
Основные технические параметры СВЧ диода Д603:• Чувствительность по току: не менее 4 А/Вт;• Добротность: не менее 45 Вт;• Выходное шумовое отношение: не более 2;• Коэффициент стоячей волны по напряжению: не более 2,2;• Дифференциальное сопротивление: не более 900 Ом;• Импульсная рассеиваемая мощность: 200 мВт;• Температура окружающей среды: -60...+100°С
РП21М-004-60В УХЛ4
Каталог

РП21М-004-60В УХЛ4

299624
8,80 BYN
Реле промежуточные электромагнитные РП-21-004 ~220В по своему функциональному назначению относятся к реле контроля и управления, они коммутируют цепи переменного тока, напряжением 220В, с номинальной нагрузкой по току от 0,025А до 5А и коммутируемой мощностью 2Вт. Степень защиты реле РП-21-004 ~220В соответствует IP40. Источник: Реле промежуточные...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор H8NK80ZFP to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H8NK80ZFP to220f

293245
11,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор K50T60 (IKW50N60T)
Полевые транзисторы

Транзистор K50T60 (IKW50N60T)

276646
31,64 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 333 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
Транзистор 2SK1094
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1094

304698
23,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 70 ns Выходная емкость (Cd): 450 pf...
Транзистор 2SK1378
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1378

304722
16,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 16 ns Выходная емкость (Cd): 170 pf...
Транзистор RJK5020
Полевые транзисторы

Транзистор RJK5020

276697
15,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 126 nC Время нарастания (tr): 115...
Транзистор 2SK2057
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2057

312558
36,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 65 nC Время нарастания (tr): 25...
Транзистор RFP12N10
Полевые транзисторы

Транзистор RFP12N10

312632
3,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор IRFS540N
Полевые транзисторы

Транзистор IRFS540N

276483
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 33 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор H11N60 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H11N60 to220f

293156
8,72 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 272 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 2SK2961
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2961

304830
27,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRL3715S
Полевые транзисторы

Транзистор IRL3715S

276527
5,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 71 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 54 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.