Транзистор H7N90 to220F

Транзистор H7N90 to220F

Артикул: 293235

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm

18,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293235

Просмотренные товары

Транзистор BUH515DX isowatt218
Биполярные транзисторы

Транзистор BUH515DX isowatt218

293086
18,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Микросхема 574УД2В Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 574УД2В Au

300545
10,80 BYN
Микросхемы изготовлены по совмещенной биполярно-полевой технологии (BIFET).Микросхемы 574УД2В представляют собой сдвоенный операционный усилитель средней точности с большим входным сопротивлением.Применяются для создания активных фильтров, повторителей, интеграторов, суммирующих усилителей, схем дискретизации, входных усилителей датчиков различных...
Микросхема 533ЛП3 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 533ЛП3 Au

300304
7,00 BYN
Цифровая микросхема серии ТТЛ изготовлена по биполярной технологии.Микросхема 533ЛП3 представляет собой 3 логических элемента мажоритарной логики два из трех 2-2-2-И-3ИЛИ-НЕ.Предназначены для применения в аппаратуре специального назначения.Содержит 75 интегральных элементов.Корпус типа 401.14-5, масса не более 0,65 г.Напряжение питания: 5 ±10% В.Рабочая...
Транзистор A1746
Биполярные транзисторы

Транзистор A1746

275012
9,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50

В этой категории 16 товаров:

Транзистор H17P10 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H17P10 to220

293172
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор IRG7S319U
Полевые транзисторы

Транзистор IRG7S319U

276511
18,96 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 96W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.43V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 45A TO263
Транзистор 2SK669
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK669

304894
1,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.1 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Выходная емкость (Cd): 6 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор FDPF33N25T
Полевые транзисторы

Транзистор FDPF33N25T

279544
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 37 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 33 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Транзистор 2SJ449
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ449

304669
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 23.1 nC Время нарастания (tr): 16...
Транзистор 35N60C3
Полевые транзисторы

Транзистор 35N60C3

275990
28,44 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 313 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 34.6 A Общий заряд затвора (Qg): 150 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm Тип корпуса: TO247
Транзистор IRF7416
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7416

259904
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 61 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор H18N50 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H18N50 to220

293173
12,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 277 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 165 ns Выходная емкость (Cd): 330...
Транзистор FDS6912
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6912

311913
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор 85T03GH
Полевые транзисторы

Транзистор 85T03GH

276109
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 107 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор IRFP4768
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP4768

276465
41,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 520 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 93 A Общий заряд затвора (Qg): 180 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0175 Ohm Тип...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.