Транзистор IRF7606

Транзистор IRF7606

Артикул: 303216
4,80 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.8 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 20 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.09 Ohm

Тип корпуса: SO8

303216

Просмотренные товары

TTGO T-Display ESP32WiFi OLED1.14
Каталог

TTGO T-Display ESP32WiFi OLED1.14

313909
128,00 BYN
ESPRESSIF-ESP32 240MHz Xtensa® двухядерный 32-бит LX6 микропроцессорПамять программ: QSPI flash 16МБОперативная память:520 КБ SRAMКнопки: СбросКонвертер USB в TTL: CH9102Интерфейсы: UART, SPI, SDIO, I2C, LED PWM, TV PWM, I2S, IRGPIO,ADC, интерфейс емкостного экрана, DACLNA предусилительДисплей: IPS ST7789V 1.14 дюймаРабочее напряжение: 2.7В — 4.2ВРабочий...
Транзистор TSF7N80M
Полевые транзисторы

Транзистор TSF7N80M

312099
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 142 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 100 ns Выходная емкость (Cd): 120 pf...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 70NF03
Полевые транзисторы

Транзистор 70NF03

312580
3,68 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 18 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор AO3419 (A50T)
Полевые транзисторы

Транзистор AO3419 (A50T)

276132
0,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор H3N60 метал
Полевые транзисторы

Транзистор H3N60 метал

293193
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 50 pf...
Транзистор FCH067N65S3
Полевые транзисторы

Транзистор FCH067N65S3

311877
26,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 312 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 44 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AP4563GH
Полевые транзисторы

Транзистор AP4563GH

276205
4,44 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.13 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор FQPF18N20
Полевые транзисторы

Транзистор FQPF18N20

277832
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 21.1 ns Выходная емкость (Cd): 81.2...
Транзистор CEP04N6
Полевые транзисторы

Транзистор CEP04N6

311873
8,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 104 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 14NK50Z
Полевые транзисторы

Транзистор 14NK50Z

275900
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFB33N15D (B33N15D)
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB33N15D (B33N15D)

266057
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 33 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор IRF7324
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7324

259898
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Общий заряд затвора (Qg): 42 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 Ohm Тип корпуса:...
Транзистор 52N15DPBF
Полевые транзисторы

Транзистор 52N15DPBF

276036
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 51 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.