Транзистор IRF7606

Транзистор IRF7606

Артикул: 303216
4,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.8 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 20 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.09 Ohm

Тип корпуса: SO8

303216

Просмотренные товары

Транзистор КТ644Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ644Г

259496
1,00 BYN
Транзисторы КТ644Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях различного назначения, импульсных и переключающих устройствах, в оконечных устройствах ЭВМ.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на...
Транзистор 2SK1404
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1404

304723
9,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 45 ns Выходная емкость (Cd): 250 pf...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRF3415
Полевые транзисторы

Транзистор IRF3415

275681
9,00 BYN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 43 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.042 Ohm
Транзистор AON7408
Полевые транзисторы

Транзистор AON7408

276178
1,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 11 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.6 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор NTD4804N dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор NTD4804N dpak (to252)

293333
9,20 BYN
Наименование прибора: NTD4804N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 93.75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 117 A Максимальная температура...
Транзистор IRFD224
Полевые транзисторы

Транзистор IRFD224

276444
1,04 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.76 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK246GR
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK246GR

304792
2,20 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 650 Ohm Тип корпуса: TO92
Транзистор FDS8884
Полевые транзисторы

Транзистор FDS8884

276345
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор K2794
Полевые транзисторы

Транзистор K2794

276607
23,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Транзистор 2SJ162 to3p
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ162 to3p

292945
64,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 160 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 15 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 400 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор AOD4286 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор AOD4286 dpak (to252)

293026
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.9 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор 2SK1461
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1461

292957
18,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 35 ns Выходная емкость (Cd): 300 pf...
Транзистор IRFS530A
Полевые транзисторы

Транзистор IRFS530A

276482
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 32 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 610 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.11 Ohm Тип корпуса: TO220F
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.