Транзистор 2SK3699
N-channel Silicon Power MOSFET(Super FAP-G Series) Vds=900V, Id=3,7A, Pd=43W, Rds(on)=3,31 Ohm
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
Наименование прибора: 2SK3699-01MR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 43 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 7 ns
Выходная емкость (Cd): 60 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.3 Ohm
Тип корпуса: TO220F