Транзистор STP5NK100Z

Транзистор STP5NK100Z

Артикул: 304958
12,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1000 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 42 nC

Время нарастания (tr): 7.7 ns

Выходная емкость (Cd): 106 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3.7 Ohm

Тип корпуса: TO220

304958

Просмотренные товары

Бронзовая лента БрБ2т 0,4 х 250 мм 1 м
Бронза ленты

Бронзовая лента БрБ2т 0,4 х 250 мм 1 м

20242
464,00 BYN
Бронзовая лента БрБ2твердая представляет собой сплошной профиль прямоугольного сечения из безоловянной бронзы, которая имеет в своём составе медь в качестве основы, а также бериллий (1,8-2,1%), никель (0,2-0,5%), железо, алюминий, кремний и свинец. Бронза БрБ2 нейтрально реагирует на многие агрессивные среды: растворы кислот и щелочей, морскую и пресную...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK301
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK301

304834
6,00 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 55 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.03 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 400 Ohm
Транзистор 9N60
Полевые транзисторы

Транзистор 9N60

276119
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор BU808DFX
Каталог

Транзистор BU808DFX

313914
30,00 BYN
Высоковольтный, силовой NPN составной транзистор (Дарлингтона) BU808DFX с высокой скоростью переключения. Применяется в выходном каскаде строчной развёртки цветных телевизоров. Основные параметры BU808DFX Структура: NPN. Максимально допустимый ток коллектора (I C): 8A. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V CEO): 700V. Статический коэффициент...
Транзистор 2SK1539
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1539

304738
21,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 72 nC Время включения (ton): 115...
Транзистор STP140NF55 to220
Полевые транзисторы

Транзистор STP140NF55 to220

293420
9,60 BYN
Наименование прибора: STP140NF55 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Максимальная температура...
Транзистор 11P06 (FQP11P06) to-220
Полевые транзисторы

Транзистор 11P06 (FQP11P06) to-220

265395
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 13 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор FDS8884
Полевые транзисторы

Транзистор FDS8884

276345
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1414
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1414

304725
36,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 85 ns Выходная емкость (Cd): 350 pf...
Транзистор 27N25
Полевые транзисторы

Транзистор 27N25

312579
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 417 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AO4826
Полевые транзисторы

Транзистор AO4826

311834
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор IRGB4062D
Полевые транзисторы

Транзистор IRGB4062D

276512
17,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.95V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 48A TO220AB
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.