Транзистор 2N4217

Транзистор 2N4217

Артикул: 302726

Транзистор JFET

12,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
60 Ω
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
1.8 W
Напряжение Сток-исток (Vds)
40.0 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
40 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)
40 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
100 pA
Обратное напряжение пробоя
40 V
Входная емкость (Ciss)
14pF @20V(Vds)
Максимальная входная мощность
1.8 W
Рабочая температура (Макс)
175 ℃
Рабочая температура (мин)
-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
1.8 W
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-18
размеры
Корпус/Пакет
TO-18
физическое
Материал
Silicon
Рабочая Температура
-65℃ ~ 175℃ (TJ)
302726

Просмотренные товары

Микросхема КР140УД8А
Микросхемы отечественные

Микросхема КР140УД8А

260593
1,45 BYN
 представляют собой операционные усилители средней точности, имеющие на выходе полевые транзисторы с p-n переходом и р-каналом, с внутренней частотной коррекцией и малыми входными токами.Содержат 43 интегральных элемента.Корпус типа 2101.8-1, масса не более 1 г.
View
Транзистор FQPF85N06
Полевые транзисторы

Транзистор FQPF85N06

276108
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 53 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Микросхема LM258P
Микросхемы импортные

Микросхема LM258P

260452
3,96 BYN
представляет собой два независимых, частотно-компенсированных операционных усилителя с высоким коэффициентом усиленияПредназначены для работы в радиоаппаратуре и электронной технике широкого применения от одного или сдвоенного источника питания в широком диапазоне напряжений.
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор H7N90 to220F
Полевые транзисторы

Транзистор H7N90 to220F

293235
18,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
View
Транзистор PHP24N03LT
Полевые транзисторы

Транзистор PHP24N03LT

312026
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 13 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 24 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
View
Транзистор FDS8978
Полевые транзисторы

Транзистор FDS8978

276349
3,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 17 nC Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор 2SJ353
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ353

304665
16,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 15 ns Выходная емкость (Cd): 200 pf...
View
Транзистор 2SK2800
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2800

304821
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 180 ns Выходная емкость (Cd): 720 pf...
View
Транзистор TPC8303
Полевые транзисторы

Транзистор TPC8303

276754
11,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 17 ns Выходная емкость (Cd): 370 pf...
View
Транзистор IRFB3307
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB3307

282461
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 75 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 120 A Общий заряд затвора (Qg): 79 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0058 Ohm
View
Транзистор AO4430
Полевые транзисторы

Транзистор AO4430

276144
2,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор IRFU3704Z
Полевые транзисторы

Транзистор IRFU3704Z

276489
4,64 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0084 Ohm TO251
View
Транзистор STP14NM50N
Полевые транзисторы

Транзистор STP14NM50N

282966
4,00 BYN
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.32 ом при 6a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 90
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.