Транзистор IRF7509TR

Транзистор IRF7509TR

Артикул: 303213

Транзистор

6,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Номинальный Ток
2.70 A
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
170 mΩ
Полярность
Dual N-Channel, Dual P-Channel
Рассеяние Мощности
1.25 W
Серия Деталей
IRF7509
Напряжение Сток-исток (Vds)
30 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
2.00 A
Время Нарастания
12.0 ns
Входная емкость (Ciss)
210pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность
1.25 W
пакет
Стиль Монтажа
Surface Mount
Корпус/Пакет
TSSOP-8
размеры
Корпус/Пакет
TSSOP-8
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
303213

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор FDS6680 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6680 so8

293111
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор IRF7101
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7101

276389
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm Тип корпуса: SO8
View
Транзистор H1NK60Z dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор H1NK60Z dpak (to252)

293177
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
View
Транзистор H3N60 изол
Полевые транзисторы

Транзистор H3N60 изол

293192
4,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 50 pf...
View
Транзистор Si4835DY
Полевые транзисторы

Транзистор Si4835DY

293393
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.