Транзистор IRLMS2002TRPBF

Транзистор IRLMS2002TRPBF

Артикул: 303703
4,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

технические

Номинальное Напряжение (DC)20.0 V

Номинальный Ток6.50 A

Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)0.045 Ω

ПолярностьN-Channel

Рассеяние Мощности2 W

Серия ДеталейIRLMS2002

Входная Ёмкость1310pF @15V

Напряжение Сток-исток (Vds)20 V

Пробивное Напряжение (Стока-исток)20 V

Непрерывный Ток Стока (Ids)6.50 A

Время Нарастания11.0 ns

Входная емкость (Ciss)1310pF @15V(Vds)

Максимальная входная мощность2 W

Рабочая температура (Макс)150 ℃

Рабочая температура (мин)-55 ℃

пакет

Стиль МонтажаSurface Mount

Количество Выводов6

Корпус/ПакетTSOP-6

размеры

Длина3 mm

Высота1.15 mm

Корпус/ПакетTSOP-6

физическое

Рабочая Температура-55℃ ~ 150℃

303703

В этой категории 16 товаров:

Транзистор H90N03 so8
Полевые транзисторы

Транзистор H90N03 so8

293246
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 95 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 90 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006...
Транзистор TK8A50D sc67 (to220f)
Полевые транзисторы

Транзистор TK8A50D sc67 (to220f)

293439
8,00 BYN
Наименование прибора: TK8A50D Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала...
Транзистор STW20NK50Z
Полевые транзисторы

Транзистор STW20NK50Z

312642
24,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AP4951GM so8
Полевые транзисторы

Транзистор AP4951GM so8

293050
10,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFR3708
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR3708

276476
5,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 87 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 61 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор H10NK60ZFP изол.
Полевые транзисторы

Транзистор H10NK60ZFP изол.

293154
11,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 30N60RUFD
Полевые транзисторы

Транзистор 30N60RUFD

275982
34,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 80 Корпус: TO3P
Транзистор FDS4559
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4559

276329
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.5 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 12.5 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор MDD5N40
Полевые транзисторы

Транзистор MDD5N40

294940
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 2SJ310 to-92
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ310 to-92

304663
12,00 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: -2 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.05 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 50 Ohm Тип...
Транзистор ME04N25 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор ME04N25 dpak (to252)

293301
5,60 BYN
Наименование прибора: ME04N25 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.3 A Максимальная температура...
Транзистор H80N03S (2N0303) d2pak (to263)
Полевые транзисторы

Транзистор H80N03S (2N0303) d2pak (to263)

293240
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 136 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Общий заряд затвора (Qg): 140 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0024 Ohm Тип корпуса: PGTO263
Транзистор FDS8690
Полевые транзисторы

Транзистор FDS8690

276341
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.