Транзистор IRLMS2002TRPBF

Транзистор IRLMS2002TRPBF

Артикул: 303703
4,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

технические

Номинальное Напряжение (DC)20.0 V

Номинальный Ток6.50 A

Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)0.045 Ω

ПолярностьN-Channel

Рассеяние Мощности2 W

Серия ДеталейIRLMS2002

Входная Ёмкость1310pF @15V

Напряжение Сток-исток (Vds)20 V

Пробивное Напряжение (Стока-исток)20 V

Непрерывный Ток Стока (Ids)6.50 A

Время Нарастания11.0 ns

Входная емкость (Ciss)1310pF @15V(Vds)

Максимальная входная мощность2 W

Рабочая температура (Макс)150 ℃

Рабочая температура (мин)-55 ℃

пакет

Стиль МонтажаSurface Mount

Количество Выводов6

Корпус/ПакетTSOP-6

размеры

Длина3 mm

Высота1.15 mm

Корпус/ПакетTSOP-6

физическое

Рабочая Температура-55℃ ~ 150℃

303703

Просмотренные товары

Транзистор IRF630N
Полевые транзисторы

Транзистор IRF630N

276385
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 82 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.5 A Общий заряд затвора (Qg): 23.3 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm Тип...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор STP24NF10
Полевые транзисторы

Транзистор STP24NF10

312049
5,60 BYN
Маркировка: P24NF10 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 85 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 26 A Максимальная температура канала (Tj):...
Транзистор H50N03 d2pak (to263)
Полевые транзисторы

Транзистор H50N03 d2pak (to263)

293203
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Выходная емкость (Cd): 280 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор H4N60 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H4N60 to220f

293200
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 106 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 80 pf...
Транзистор 27P06
Полевые транзисторы

Транзистор 27P06

275972
5,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 27 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1459
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1459

304728
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 150 pf...
Транзистор TK6P60V dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор TK6P60V dpak (to252)

293438
8,40 BYN
Наименование прибора: TK6P60W Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.7 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.2 A Максимальная температура...
Транзистор AO4812
Полевые транзисторы

Транзистор AO4812

276161
3,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
Транзистор IRFBG30
Полевые транзисторы

Транзистор IRFBG30

276440
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.