Транзистор AOD608

Транзистор AOD608

Артикул: 276174

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=40V, Id=10A, N-channel:Rds(on)=39 mOhm,Pd=20W, P-channel: Rds(on)=51 mOhm, Pd=50W TO252-5L

9,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276174
Новый товар

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK794
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK794

304896
20,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 110 ns Выходная емкость (Cd): 190 pf...
Транзистор 2SK2251
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2251

304775
28,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 50N25T
Полевые транзисторы

Транзистор 50N25T

276027
13,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 400 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 3N90
Полевые транзисторы

Транзистор 3N90

265417
3,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 43 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор H60N06 d2pak (to263)
Полевые транзисторы

Транзистор H60N06 d2pak (to263)

293213
10,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 11 ns Выходная емкость (Cd): 400 pf...
Транзистор ME20P06
Полевые транзисторы

Транзистор ME20P06

311962
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK3596
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3596

304864
17,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 270 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 45 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 17 ns Выходная емкость (Cd): 260 pf...
Транзистор IRF8714
Полевые транзисторы

Транзистор IRF8714

276422
1,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.35 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Транзистор AO4412
Полевые транзисторы

Транзистор AO4412

276136
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.8 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFR120N
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR120N

282626
1,52 BYN
Наименование прибора: IRFR120N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.4 A Максимальная температура...
Транзистор STU413S
Полевые транзисторы

Транзистор STU413S

276723
4,44 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 22 A Общий заряд затвора (Qg): 67 nC Выходная емкость (Cd): 138 pf Сопротивление сток-исток открытого...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.