Транзистор BUZ91AF

Транзистор BUZ91AF

Артикул: 274677

N-Channel 600V, 8A

3,52 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
274677
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема SAA1057
Микросхемы импортные

Микросхема SAA1057

308165
5,40 BYN
представляет собой однокристальную микросхему синтезатора частот по технологии inI2L, которая выполняет все функции настройки системы радионастройки с ФАПЧ. ИС применима ко всем типам радиоприемников, например. автомобильные радиоприемники, Hi-Fi радиоприемники и портативные радиоприемники
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор P4404 EDG
Полевые транзисторы

Транзистор P4404 EDG

276672
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 9.2 ns Выходная емкость (Cd): 180 pf...
View
Транзистор IRLD014
Полевые транзисторы

Транзистор IRLD014

290300
5,60 BYN
ип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор IRFD110
Полевые транзисторы

Транзистор IRFD110

276441
8,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор P2503BDG
Полевые транзисторы

Транзистор P2503BDG

276663
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 32 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 7.5 ns Выходная емкость (Cd): 175 pf...
View
Транзистор FDS6298
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6298

276336
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор FDS6679
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6679

276339
2,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор RFD15P05 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор RFD15P05 dpak (to252)

293354
7,00 BYN
Наименование прибора: RFD15P05 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала...
View
Транзистор RD06HVF1
Полевые транзисторы

Транзистор RD06HVF1

276683
28,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27.8 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
View
Транзистор AOD518
Полевые транзисторы

Транзистор AOD518

311839
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.6 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 54 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
View
Транзистор STP10NM60N
Полевые транзисторы

Транзистор STP10NM60N

312045
8,80 BYN
Маркировка: 10NM60N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj):...
View
Транзистор 6NK60ZT4
Полевые транзисторы

Транзистор 6NK60ZT4

276078
6,00 BYN
Маркировка: B6NK60Z Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj):...
View
Транзистор IRLZ24
Полевые транзисторы

Транзистор IRLZ24

265794
4,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 10 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm  to-220
View
Транзистор 2SK2975
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2975

304832
119,00 BYN
Маркировка: K2975 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 10 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Выходная емкость (Cd): 80 pf Сопротивление...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.