Транзистор IRFB9N65A

Транзистор IRFB9N65A

Артикул: 303305

Труба MOS 

19,40 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Рассеяние Мощности
167W (Tc)
Напряжение Сток-исток (Vds)
650 V
Входная емкость (Ciss)
1417pF @25V(Vds)
Рассеиваемая Мощность (Макс)
167W (Tc)
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Корпус/Пакет
TO-220-3
размеры
Корпус/Пакет
TO-220-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
303305

Просмотренные товары

Микросхема TDA7386 SIP25
Микросхемы импортные

Микросхема TDA7386 SIP25

267414
30,52 BYN
представляет собой четырех канальный усилитель мощности низкой частоты класса АВ, с максимальной выходной мощностью 40-45 Ватт на канал и однополярным питанием в диапазоне от 9 до 18 вольт с сопротивлением нагрузки 4 или 8 Ом.

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AO4702
Полевые транзисторы

Транзистор AO4702

311833
6,40 BYN
Маркировка: 4702 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 3.9 ns Выходная...
Транзистор IRF9333
Полевые транзисторы

Транзистор IRF9333

276423
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.2 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0194 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор SSP10N60A
Полевые транзисторы

Транзистор SSP10N60A

302413
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 3DD5038 to3p
Полевые транзисторы

Транзистор 3DD5038 to3p

293004
13,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SK2617
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2617

304802
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 15 ns Выходная емкость (Cd): 190 pf...
Транзистор BUK455-200
Полевые транзисторы

Транзистор BUK455-200

276291
12,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.23 Ohm
Транзистор IRF614
Полевые транзисторы

Транзистор IRF614

276383
8,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 36 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK3078
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3078

304843
5,40 BYN
Маркировка: U* Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 10 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора...
Транзистор H14NF12 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H14NF12 to220

293166
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 120 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор IRFP054N
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP054N

259918
16,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 81 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 7N52DK3
Полевые транзисторы

Транзистор 7N52DK3

276086
4,64 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 525 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.