Транзистор IRF350

Транзистор IRF350

Артикул: 303072
128,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
300 mΩ
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
150 W
Пороговое Напряжение
2 V
Напряжение Сток-исток (Vds)
400 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
15.0 A
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
2
Корпус/Пакет
TO-3
размеры
Корпус/Пакет
TO-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃
303072

В этой категории 16 товаров:

Транзистор FIR10N80P
Полевые транзисторы

Транзистор FIR10N80P

289825
9,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.3 Ohm
Транзистор 2SK3053
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3053

304839
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 200 ns Выходная емкость (Cd): 240 pf...
Транзистор H2N60B to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H2N60B to220f

293189
3,56 BYN
Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.6...
Транзистор J557
Полевые транзисторы

Транзистор J557

276556
11,64 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор IRF3704
Полевые транзисторы

Транзистор IRF3704

312612
10,56 BYN
Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 20 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 7.9 мОм Ток стока 67 А Заряд затвора 8.7 нКл Термосопротивление 2.65 К/Вт Рассеиваемая мощность 57 Вт
Транзистор IRG4PH30K
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4PH30K

276505
14,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10A Максимальная температура перехода (Tj): 175 TO247
Транзистор IRFD110
Полевые транзисторы

Транзистор IRFD110

276441
8,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FDS9435A (SI9435DY)
Полевые транзисторы

Транзистор FDS9435A (SI9435DY)

282624
1,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.3 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK2746
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2746

304818
20,40 BYN
Маркировка: K2746 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
Транзистор 9NK50ZT4
Полевые транзисторы

Транзистор 9NK50ZT4

276123
4,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.