Транзистор 27P06

Транзистор 27P06

Артикул: 275972

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 27 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 33 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO220

5,56 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275972
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 03N50C3
Полевые транзисторы

Транзистор 03N50C3

275850
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.2 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm Тип корпуса: DPAK

В этой категории 16 товаров:

Транзистор TK4P60D
Полевые транзисторы

Транзистор TK4P60D

276739
1,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1692
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1692

304745
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 70 nC Время нарастания (tr): 70...
Транзистор 2SK787
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK787

312567
39,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 350 pf...
Транзистор 2SK940
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK940

304903
5,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 4 ns Выходная емкость (Cd): 65 pf...
Транзистор PHKD13N03LT
Полевые транзисторы

Транзистор PHKD13N03LT

293346
8,40 BYN
Наименование прибора: PHKD13N03LT Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.57 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10.4 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор AO4807 soic8
Полевые транзисторы

Транзистор AO4807 soic8

293015
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
Транзистор 2SK1351
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1351

292956
18,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 15 ns Выходная емкость (Cd): 280 pf...
Транзистор 2SK1117
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1117

292951
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 250 pf...
Транзистор 13NK60ZFP to220f
Полевые транзисторы

Транзистор 13NK60ZFP to220f

293163
12,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор RJK5020
Полевые транзисторы

Транзистор RJK5020

276697
15,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 126 nC Время нарастания (tr): 115...
Транзистор 60N60C2D1 (неизолированный)
Полевые транзисторы

Транзистор 60N60C2D1 (неизолированный)

276060
21,56 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.7V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 75A Время нарастания: 35 ISOPLUS247
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.