Транзистор AP9575GI

Транзистор AP9575GI

Артикул: 276226

Корпус TO-220F
Вес 2 г
P-CHANNEL -60V -16A 70 Om_ ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

7,84 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276226
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2SC4630 TO220F
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4630 TO220F

275440
5,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода...
Транзистор IRFP054N
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP054N

259918
16,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 81 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор FDS6690 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6690 so8

293113
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FDB6670AL
Полевые транзисторы

Транзистор FDB6670AL

276306
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор CEP83A3
Полевые транзисторы

Транзистор CEP83A3

276304
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания (tr): 22 ns Выходная емкость (Cd): 980 pf...
Транзистор H65NF06
Полевые транзисторы

Транзистор H65NF06

293221
5,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 2SJ353
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ353

304665
16,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 15 ns Выходная емкость (Cd): 200 pf...
Транзистор IRF9620
Полевые транзисторы

Транзистор IRF9620

276425
3,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 22 nC Сопротивление сток-исток открытого...
Транзистор UTC6N80L
Полевые транзисторы

Транзистор UTC6N80L

312100
8,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 138 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 95 ns Выходная емкость (Cd): 90 pf...
Транзистор H6NK60ZFP to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H6NK60ZFP to220f

293226
4,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор SIF444
Полевые транзисторы

Транзистор SIF444

276715
17,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 55 W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 600 V Максимально допустимый постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Транзистор 2SK2233
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2233

312562
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 45 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.