Транзистор 75N60H3 ( K75H603 )

Транзистор 75N60H3 ( K75H603 )

Артикул: 276084

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 428

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 140

Максимальная температура перехода (Tj): 175

Время нарастания: 60

Емкость коллектора (Cc), pf: 240

TO247AB

28,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276084
Новый товар

Просмотренные товары

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор STB55NF03L
Полевые транзисторы

Транзистор STB55NF03L

312637
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 55 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор FDS6875 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6875 so8

293114
5,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 23 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm
Транзистор P0903BDG
Полевые транзисторы

Транзистор P0903BDG

276660
1,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 49 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 56 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 300 pf...
Транзистор 2SJ449
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ449

304669
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 23.1 nC Время нарастания (tr): 16...
Транзистор RJP5001
Полевые транзисторы

Транзистор RJP5001

276706
7,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 4.7 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 17 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 300 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор IRF3205S
Полевые транзисторы

Транзистор IRF3205S

294958
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 110 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 97.3 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор 60NM50
Полевые транзисторы

Транзистор 60NM50

276064
53,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 560 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.