Транзистор H20NM60 to247

Транзистор H20NM60 to247

Артикул: 293181

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A

Общий заряд затвора (Qg): 39 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.29 Ohm

19,76 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293181

Просмотренные товары

Транзистор FDS6680 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6680 so8

293111
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор APM4048D
Полевые транзисторы

Транзистор APM4048D

276253
8,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.5(6) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds):...
View
Транзистор STM6960 SO8
Полевые транзисторы

Транзистор STM6960 SO8

276718
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.5 A Общий заряд затвора (Qg): 55 nC Выходная емкость (Cd): 75 pf Сопротивление сток-исток открытого...
View
Транзистор 6N70F
Полевые транзисторы

Транзистор 6N70F

276076
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 700 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 27.3 ns Выходная емкость (Cd): 98.2...
View
Транзистор AO4430
Полевые транзисторы

Транзистор AO4430

276144
2,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор H50N03 ipak (to251)
Полевые транзисторы

Транзистор H50N03 ipak (to251)

293204
2,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Выходная емкость (Cd): 280 pf Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор NTD4804N dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор NTD4804N dpak (to252)

293333
9,20 BYN
Наименование прибора: NTD4804N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 93.75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 117 A Максимальная температура...
View
Транзистор 2SK3934
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3934

292994
11,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 62 nC Время нарастания (tr): 70...
View
Транзистор IRFD224
Полевые транзисторы

Транзистор IRFD224

276444
1,04 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.76 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SK1462
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1462

304729
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 500 pf...
View
Транзистор IRFB4127 to220
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB4127 to220

293275
20,40 BYN
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 76 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.02 ом при 44a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 375 Крутизна характеристики, S 79 Корпус to220ab
View
Транзистор H21NM60 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H21NM60 to220f

293183
17,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор P2610ADG
Полевые транзисторы

Транзистор P2610ADG

276665
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 128 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 250 ns Выходная емкость (Cd): 285...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.