Транзистор STD12NF06L

Транзистор STD12NF06L

Артикул: 302483

Труба MOS

8,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Количество Стежков
3
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
0.08 Ω
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
30 W
Пороговое Напряжение
2 V
Напряжение Сток-исток (Vds)
60 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
12.0 A
Рабочая температура (Макс)
175 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
30 W
пакет
Стиль Монтажа
Surface Mount
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-252
размеры
Длина
6.6 mm
Ширина
6.2 mm
Высота
2.4 mm
Корпус/Пакет
TO-252
302483

Просмотренные товары

Микросхема 301НР1ГВ Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 301НР1ГВ Ni

299984
23,80 BYN
микроминиатюрное электронное устройство, все или часть элементов которого нераздельно связаны конструктивно и соединены между собой электрически.По своему функциональному назначению интегральные микросхемы делятся на две основные группы: аналоговые, или линейно-импульсные, и логические, или цифровые, микросхемы. Аналоговые микросхемы предназначаются для...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRF7469
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7469

276408
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Транзистор P2503BDG
Полевые транзисторы

Транзистор P2503BDG

276663
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 32 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 7.5 ns Выходная емкость (Cd): 175 pf...
Транзистор IRFPS40N60K
Полевые транзисторы

Транзистор IRFPS40N60K

293280
62,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 570 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор H10NK60Z метал
Полевые транзисторы

Транзистор H10NK60Z метал

293153
11,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 115 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Общий заряд затвора (Qg): 50 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm
Транзистор RFD3055LE
Полевые транзисторы

Транзистор RFD3055LE

312027
4,60 BYN
Маркировка: F3055L Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A Максимальная температура канала (Tj): 175...
Транзистор 9NK50ZT4
Полевые транзисторы

Транзистор 9NK50ZT4

276123
4,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.