Транзистор HGTG11N120CND

Транзистор HGTG11N120CND

Артикул: 302481

43A, 1200V, TC = 25oC• Возможность переключения SOA 1200V• Типичное время падения 340нс при TJ = 150oC• Номинальное короткое замыкание• Низкие Потери Проводимости

51,80 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
302481

Просмотренные товары

Микросхема 1104КН1A Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 1104КН1A Ni

299282
10,80 BYN
цифровая микросхема функциональное назначение низкомощный шестнадцатиканальный коммутатор с управлением последовательным кодом и реверсным опросом, и используются в РЭА в большой области эксплуатации. Производятся в керамометаллическом корпусе 429.42-1, по КМОП технологии кремнийсапфире. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное...
View
Микросхема 574УД1Б Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 574УД1Б Ni

300538
10,80 BYN
Микросхемы изготовлены по совмещенной биполярно-полевой технологии (BIFET).Микросхемы 574УД1Б представляют собой быстродействующий операционный усилитель с большим входным сопротивлением.Предназначены для построения схем выборки и хранения, высокоомных широкополосных усилителей и компараторов, широкополосных генераторов с большим выходным напряжением.Не...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRFPS37N50A
Полевые транзисторы

Транзистор IRFPS37N50A

293278
35,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 446 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SK2886
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2886

304827
53,40 BYN
Маркировка: K2886 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 45 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
View
Транзистор AP9973M
Полевые транзисторы

Транзистор AP9973M

276236
6,00 BYN
Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.08 Ohm Тип корпуса: SO8
View
Транзистор IRF7478
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7478

311955
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SK4086 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK4086 to220f

292996
8,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор IPA65R1K5CE
Полевые транзисторы

Транзистор IPA65R1K5CE

311930
16,40 BYN
Маркировка: 65S1K5CE Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.2 A Максимальная температура канала...
View
Транзистор IRL2703S
Полевые транзисторы

Транзистор IRL2703S

276521
5,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 24 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор TK13A65U
Полевые транзисторы

Транзистор TK13A65U

276731
14,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
View
Транзистор H60NF10 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H60NF10 to220

293219
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Общий заряд затвора (Qg): 104 nC Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор IRFR5305 to-252
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR5305 to-252

276478
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 89 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 28 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 42 nC Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор 2SK2648
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2648

304806
24,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 35 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 110 ns Выходная емкость (Cd): 180 pf...
View
Транзистор STP7NK40Z
Полевые транзисторы

Транзистор STP7NK40Z

312640
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор H26NM60 to220f изол
Полевые транзисторы

Транзистор H26NM60 to220f изол

293186
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.