Транзистор HGTG11N120CND

Транзистор HGTG11N120CND

Артикул: 302481

43A, 1200V, TC = 25oC• Возможность переключения SOA 1200V• Типичное время падения 340нс при TJ = 150oC• Номинальное короткое замыкание• Низкие Потери Проводимости

51,80 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
302481

Просмотренные товары

Провод обмоточный ПЭТВ-2 0,2 (230 м) 70 г
Каталог

Провод обмоточный ПЭТВ-2 0,2 (230 м) 70 г

313530
24,00 BYN
Область применения ПЭТВ-2:  Провод  применяется для изготовления обмоток  температурного класса "В": измерительных и регистрирующих приборов, телефонных капсюлей, двигателей малой мощности, электромагнитов и сухих трансформаторов. Провод обладает отличными механическими свойствами, эти свойства позволяют использовать провод для механизированной намотки....
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2N7000 (VN2222)
Полевые транзисторы

Транзистор 2N7000 (VN2222)

265896
1,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 40 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор BSP254
Полевые транзисторы

Транзистор BSP254

276282
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.8 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная...
View
Транзистор H3N60 метал
Полевые транзисторы

Транзистор H3N60 метал

293193
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 50 pf...
View
Транзистор 140N30P
Полевые транзисторы

Транзистор 140N30P

275894
55,84 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1040 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 300 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 140 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор P1504BDG
Полевые транзисторы

Транзистор P1504BDG

276661
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 10.8 ns Выходная емкость (Cd): 255 pf...
View
Транзистор AP40T03GP to220
Полевые транзисторы

Транзистор AP40T03GP to220

293046
11,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 28 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 62 ns Выходная емкость (Cd): 145...
View
Транзистор 2SJ174
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ174

304655
27,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 125 ns Выходная емкость (Cd): 990 pf...
View
Транзистор PHP24N03LT
Полевые транзисторы

Транзистор PHP24N03LT

312026
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 13 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 24 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
View
Транзистор 2SK2666
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2666

304810
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время включения (ton): 40 ns Выходная емкость (Cd): 67 pf...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.