Транзистор FDS4828

Транзистор FDS4828

Артикул: 276332

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 2.3 ns

Выходная емкость (Cd): 60 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.056 Ohm

Тип корпуса: SO-8

3,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276332
Новый товар

Просмотренные товары

Замок электромагнитный SC-180
Механика и робототехника

Замок электромагнитный SC-180

312743
148,80 BYN
Электромагнитные замки являются дистанционно-управляемыми запорными устройствами и используются в качестве «устройств исполнительных» по классификации ГОСТ Р 51241-98 в системах контроля и управления доступом в помещениях различного назначения. Основное назначение этих замков — ограничение прохода и обеспечение максимальной безопасности при использовании...
Транзистор 2SK2937
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2937

304828
11,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 160 ns Выходная емкость (Cd): 380 pf...
Лента медная 0,05 х 200 мм 1 м ( твердая )
Лента медная (на метры)

Лента медная 0,05 х 200 мм 1 м ( твердая )

371886
40,00 BYN
Толщина: 0.05 мм ( твердая ) Вес метра: 80г Ширина: 200 мм Длина: любая, от 1 метра Сплав меди М1 содержит в себе минимальное количество примесей (0,01%). Он идеально пригоден для создания проводников с различным сечением, так как наличие посторонних металлов в составе ухудшает электро- и теплопроводниковые свойства готовых полуфабрикатов. Медь М1 легко...
Транзистор 2SK1414
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1414

304725
36,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 85 ns Выходная емкость (Cd): 350 pf...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор H60N03L dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор H60N03L dpak (to252)

293212
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 51 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFR9310 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR9310 dpak (to252)

293287
3,60 BYN
Наименование прибора: IRFR9310 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.8 A Максимальная температура...
Транзистор P0920ATF
Полевые транзисторы

Транзистор P0920ATF

312023
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1940
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1940

292963
22,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор H11NK40 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H11NK40 to220f

293158
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Общий заряд затвора (Qg): 32 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.55 Ohm
Транзистор 14NC60K
Полевые транзисторы

Транзистор 14NC60K

275898
6,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7A Корпус: DPAK
Транзистор IRFS634B
Полевые транзисторы

Транзистор IRFS634B

276484
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FCPF22N60
Полевые транзисторы

Транзистор FCPF22N60

295010
21,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 22 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор STP80NF55-08
Полевые транзисторы

Транзистор STP80NF55-08

260382
7,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор RD01MUS2 sot89
Полевые транзисторы

Транзистор RD01MUS2 sot89

293352
15,60 BYN
Наименование прибора: RD01MUS2 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Тип корпуса: SOT-89 Аналог...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.