Транзистор STW11NK100Z

Транзистор STW11NK100Z

Артикул: 302480

Труба MOS 

23,20 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Номинальное Напряжение (DC)
1.00 kV
Номинальный Ток
8.30 A
Номинальная Мощность
230 W
Количество Стежков
3
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
1.38 Ω
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
230 W
Пороговое Напряжение
3.75 V
Напряжение Сток-исток (Vds)
1000 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
1.00 kV
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)
±30.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
8.30 A
Время Нарастания
18 ns
Входная емкость (Ciss)
3500pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность
230 W
Время падения
55 ns
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
230W (Tc)
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-247-3
размеры
Длина
15.75 mm
Ширина
5.15 mm
Высота
20.15 mm
Корпус/Пакет
TO-247-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
302480

Просмотренные товары

Транзистор 2SD880 to-220
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD880 to-220

266104
3,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор FDS6680 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6680 so8

293111
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRFR3410
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR3410

276474
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 31 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор IRL2703S
Полевые транзисторы

Транзистор IRL2703S

276521
5,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 24 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор FQA13N50CF (13N50)
Полевые транзисторы

Транзистор FQA13N50CF (13N50)

265429
6,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 218 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 60R580P
Полевые транзисторы

Транзистор 60R580P

276070
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 34 ns Выходная емкость (Cd): 428 pf...
View
Транзистор 2SJ201 to92
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ201 to92

292946
4,72 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm
View
Транзистор KMB054N40D
Полевые транзисторы

Транзистор KMB054N40D

302353
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 54 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 16 ns Выходная емкость (Cd): 250 pf...
View
Транзистор STN3NF06L
Полевые транзисторы

Транзистор STN3NF06L

305015
12,00 BYN
Маркировка: 3NF06L Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.8 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A Максимальная температура канала (Tj):...
View
Транзистор AO4415
Полевые транзисторы

Транзистор AO4415

276139
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
View
Транзистор 80N08G
Полевые транзисторы

Транзистор 80N08G

276095
17,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 80 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 50 ns Выходная емкость (Cd): 1260 pf...
View
Транзистор 80N60UFD
Полевые транзисторы

Транзистор 80N60UFD

276097
20,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 70 TO3P
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.