Транзистор FDS4501H

Транзистор FDS4501H

Артикул: 266103

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.3 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 17 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 Ohm

Тип корпуса: SOIC

7,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

N & P-Ch (N-CH9.3A,30V,2.5W)(P-CH–5.6A,–20V,2.5W))

266103
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема HEF4030BT
Микросхемы импортные

Микросхема HEF4030BT

305123
4,40 BYN
• Полностью статическая работа • Параметрические оценки 5 В, 10 В и 15 В • Стандартизированные симметричные выходные характеристики • Соответствует стандарту JEDEC JESD 13-B • Входы и выходы защищены от электростатического воздействия. 1

В этой категории 16 товаров:

Транзистор FDPF51N25 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор FDPF51N25 to220f

293105
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 28 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK2700
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2700

304816
11,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 15 ns Выходная емкость (Cd): 70 pf...
Транзистор TPC8107
Полевые транзисторы

Транзистор TPC8107

293442
9,20 BYN
Наименование прибора: TPC8107 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 130...
Транзистор K2674
Полевые транзисторы

Транзистор K2674

276597
29,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 150 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор IRF7404 so8
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7404 so8

293269
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 33.3 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор TK7P50D
Полевые транзисторы

Транзистор TK7P50D

276744
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Транзистор 2SK4096
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK4096

292997
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 33 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 46 ns Выходная емкость (Cd): 130 pf...
Транзистор 2SK793
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK793

293003
11,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 850 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 110 ns Выходная емкость (Cd): 190 pf...
Транзистор 7N52DK3
Полевые транзисторы

Транзистор 7N52DK3

276086
4,64 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 525 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор K1377
Полевые транзисторы

Транзистор K1377

276564
17,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Сопротивление сток-исток...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.