Транзистор STF10NM60ND

Транзистор STF10NM60ND

Артикул: 302439

Труба MOS

27,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Количество Стежков
3
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
0.57 Ω
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
25 W
Пороговое Напряжение
4 V
Напряжение Сток-исток (Vds)
600 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
8A
Время Нарастания
10 ns
Входная емкость (Ciss)
540pF @50V(Vds)
Максимальная входная мощность
25 W
Время падения
9.8 ns
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
25W (Tc)
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-220-3
размеры
Корпус/Пакет
TO-220-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃
302439

В этой категории 16 товаров:

Транзистор K669
Полевые транзисторы

Транзистор K669

276647
1,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.1 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Выходная емкость (Cd): 6 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор STF3N62K3
Полевые транзисторы

Транзистор STF3N62K3

305019
9,20 BYN
Маркировка: 3N62K3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 620 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.7 A Максимальная температура канала (Tj):...
Транзистор HGTP14N36GVL
Полевые транзисторы

Транзистор HGTP14N36GVL

311922
24,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.45 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 10 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор P2610ADG
Полевые транзисторы

Транзистор P2610ADG

276665
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 128 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 250 ns Выходная емкость (Cd): 285...
Транзистор AOD450
Полевые транзисторы

Транзистор AOD450

311838
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 6 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.8 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор IRF7406
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7406

259902
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 39.3 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор FDH5500
Полевые транзисторы

Транзистор FDH5500

276319
31,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 375 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор IRG4PH30K
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4PH30K

276505
14,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10A Максимальная температура перехода (Tj): 175 TO247
Транзистор 2SK105
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK105

304693
17,80 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.02 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 650...
Транзистор IRFBG30
Полевые транзисторы

Транзистор IRFBG30

276440
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK792
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK792

293002
11,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 55 ns Выходная емкость (Cd): 120 pf...
Транзистор K2759-01MR
Полевые транзисторы

Транзистор K2759-01MR

276603
14,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 35 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 110 ns Выходная емкость (Cd): 250 pf...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.