Транзистор STW18NK80Z

Транзистор STW18NK80Z

Артикул: 302602

Труба MOS 

18,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Номинальное Напряжение (DC)
800 V
Номинальный Ток
19.0 A
Номинальная Мощность
350 W
Количество Каналов
1
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
380 mΩ
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
350 W
Напряжение Сток-исток (Vds)
800 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
800 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)
±30.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
10.5 A
Время Нарастания
32 ns
Входная емкость (Ciss)
6100pF @25V(Vds)
Время падения
32 ns
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
350W (Tc)
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-247-3
размеры
Длина
15.75 mm
Ширина
5.15 mm
Высота
20.15 mm
Корпус/Пакет
TO-247-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
302602

Просмотренные товары

Никелированная лента 0,15 х 8 мм 2 м
Никель

Никелированная лента 0,15 х 8 мм 2 м

19822
18,00 BYN
Стальная никелированная лента , применяется для сборки аккумуляторных батарей и отдельных ячеек методом точечной сварки. Максимальный продолжительный ток нагрузки: 6А. Для того, чтобы надежно обеспечить нагрузочные токи более 6A, рекомендуется монтаж в несколько слоев. Особенности в хорошей производительности сварки, высокое натяжение, низкое удельное...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK241GR
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK241GR

304789
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.03 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 100 Ohm
Транзистор 2SK246LH
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK246LH

304791
2,20 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 650 Ohm Тип корпуса: TO92
Транзистор APM4008N
Полевые транзисторы

Транзистор APM4008N

276252
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 16 ns Выходная емкость (Cd): 260 pf...
Транзистор 2SK735
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK735

311827
14,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 450 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 ns Выходная емкость (Cd): 320 pf
Транзистор IRFPS37N50A
Полевые транзисторы

Транзистор IRFPS37N50A

293278
35,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 446 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 13NM60N TO220F
Полевые транзисторы

Транзистор 13NM60N TO220F

312041
13,00 BYN
Маркировка: 13NM60N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A Максимальная температура канала (Tj):...
Транзистор FDS4675
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4675

276330
4,64 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK2876
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2876

304826
12,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 35 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 40 ns Выходная емкость (Cd): 100 pf...
Транзистор P4404DG
Полевые транзисторы

Транзистор P4404DG

293343
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 9.2 ns Выходная емкость (Cd): 180 pf...
Транзистор P2003EVG sop8
Полевые транзисторы

Транзистор P2003EVG sop8

293339
8,00 BYN
Наименование прибора: P2003EVG Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 10 ns...
Транзистор 2SK3265
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3265

304847
10,20 BYN
Маркировка: K3265 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
Транзистор SSF7509
Полевые транзисторы

Транзистор SSF7509

307604
9,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 165 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 93.6 nC Время нарастания (tr):...
Транзистор AO4936
Полевые транзисторы

Транзистор AO4936

293018
12,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.