Транзистор FMV10N80E

Транзистор FMV10N80E

Артикул: 302440

Труба MOS

18,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
1.1 Ω
Полярность
N-CH
Рассеяние Мощности
235 W
Входная Ёмкость
1650pF @25V
Напряжение Сток-исток (Vds)
800 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
800 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
10A
Тепловое Сопротивление
1.471℃/W (RθJC)
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-220
размеры
Длина
10 mm
Высота
15 mm
Корпус/Пакет
TO-220
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃
302440

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRL3502S
Полевые транзисторы

Транзистор IRL3502S

265866
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 0.7 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 110 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор STP34NM60N to220
Полевые транзисторы

Транзистор STP34NM60N to220

293422
21,20 BYN
Наименование прибора: STP34NM60N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 210 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 29 A Максимальная температура...
Транзистор 85T03GP
Полевые транзисторы

Транзистор 85T03GP

276110
3,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 107 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 33 nC Время нарастания (tr): 77...
Транзистор TK7A50D
Полевые транзисторы

Транзистор TK7A50D

276743
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Транзистор 2SK1342
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1342

304718
34,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 135 ns Выходная емкость (Cd): 700 pf...
Транзистор FDB6670AL
Полевые транзисторы

Транзистор FDB6670AL

276306
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор TK12A10K3
Полевые транзисторы

Транзистор TK12A10K3

276727
2,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.08 Ohm
Транзистор IRF7509 tsop8
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7509 tsop8

293271
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.4 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.11 Ohm Тип корпуса: MICRO8
Транзистор IRGB4062D
Полевые транзисторы

Транзистор IRGB4062D

276512
17,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.95V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 48A TO220AB
Транзистор FDD2572 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор FDD2572 dpak (to252)

293099
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 135 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 29 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.