Транзистор 8N65M5 (STD8N65M5) to-252 (d-pak)

Транзистор 8N65M5 (STD8N65M5) to-252 (d-pak)

Артикул: 265422

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 15 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm

11,00 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
  N-Channel 650 V, 0.56om, 7 A  
265422
Новый товар

Просмотренные товары

Диоды СВЧ 3А620А-6 Au
Диоды СВЧ

Диоды СВЧ 3А620А-6 Au

294703
6,64 BYN
Технические характеристики настроечных СВЧ диодов3А620А-6, АА620А-6: Наименованиенастроечного СВЧ диодаЗначения электрических параметров СВЧ диодовПредельные эксплуатационные характеристикиT ОКРf ПРЕДU ПРОБI ОБРr ДИФC ДC КОРL ДR ТU ОБРP РАСI ПРΔUT ПГГцВмкАОмпФпФнГн°C/ВтВмВтмАВ°C°C3А620А-6 - - - - 0,6…1,0 - <0,2 - 55 55 55 100 - -60…+100 АА620А-6 - - -...
Диоды СВЧ 2А611А-1 Au
Диоды СВЧ

Диоды СВЧ 2А611А-1 Au

294645
5,52 BYN
Основные технические параметры СВЧ диода 2А611А-1:• Постоянное обратное напряжение: не более 50 В;• Непрерывная рассеиваемая СВЧ-мощность: не более 100 мВт;• Значение допустимого статического потенциала: 200 В;• Емкость корпуса: не более 4,7 пФ;• Индуктивность диода: не более 1 нГн;• Температура окружающей среды: -60...+125 °С;• Минимальная наработка:...
Транзистор 2SD880 to-220
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD880 to-220

266104
3,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Диоды СВЧ 2А536А-6 Au
Диоды СВЧ

Диоды СВЧ 2А536А-6 Au

294611
5,52 BYN
Основные технические параметры СВЧ диода 2А536А-6:• Общая емкость диода: не более 0,16 пФ;• Прямое сопротивление потерь: не более 1,5 Ом;• Критическая частота переключения диода: не менее 300 ГГц;• Накопленный заряд: не более 250 нКл;• Пробивное напряжение: не менее 300 В;• Постоянное обратное напряжение: не более 150 В;• Постоянный прямой ток: не более...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK3502
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3502

304861
32,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 15 ns Выходная емкость (Cd): 140 pf...
Транзистор IRF3710S
Полевые транзисторы

Транзистор IRF3710S

276380
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 57 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 16NF06 to220
Полевые транзисторы

Транзистор 16NF06 to220

293168
3,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 16 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор FDD6612A
Полевые транзисторы

Транзистор FDD6612A

295009
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор SSG4503
Полевые транзисторы

Транзистор SSG4503

312034
11,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 7(8) ns Выходная емкость (Cd):...
Транзистор H75N03 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H75N03 to220

293229
7,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 74.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор Si4894DY
Полевые транзисторы

Транзистор Si4894DY

312031
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 2SK1191
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1191

292952
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 30 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 2500 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm
Транзистор SIF444
Полевые транзисторы

Транзистор SIF444

276715
17,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 55 W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 600 V Максимально допустимый постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Транзистор K2542
Полевые транзисторы

Транзистор K2542

276592
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Общий заряд затвора (Qg): 30 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm Тип корпуса: TO220AB
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.