Транзистор H75N09 to220

Транзистор H75N09 to220

Артикул: 293231

N-channel Power MOSFET, Vdss=90V, Id=75A,Pd=150W, Rds(on)=23 mOhm

7,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293231

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор PHP8N50E
Полевые транзисторы

Транзистор PHP8N50E

279546
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 147 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
Транзистор DMN4468LS
Полевые транзисторы

Транзистор DMN4468LS

311875
9,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.52 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.7 A Общий заряд затвора (Qg): 18.85 nC Выходная емкость (Cd): 867 pf Сопротивление сток-исток открытого...
Транзистор FDD6530
Полевые транзисторы

Транзистор FDD6530

276312
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 33 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 21 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Сопротивление...
Транзистор IRF7324
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7324

259898
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Общий заряд затвора (Qg): 42 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 Ohm Тип корпуса:...
Транзистор K2267
Полевые транзисторы

Транзистор K2267

276583
27,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Общий заряд затвора (Qg): 170 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.011 Ohm 2-21F1A
Транзистор STP9NK60Z
Полевые транзисторы

Транзистор STP9NK60Z

260383
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK184BL
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK184BL

304750
27,00 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 250 Ohm
Транзистор 60N03
Полевые транзисторы

Транзистор 60N03

276049
2,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009...
Транзистор SI2305 ( A50T )
Полевые транзисторы

Транзистор SI2305 ( A50T )

276712
0,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 0.9 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор FDD5614P
Полевые транзисторы

Транзистор FDD5614P

265890
3,52 BYN
 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.