Транзистор 30N60HS

Транзистор 30N60HS

Артикул: 275981

Корпус TO-220
Вес 2 г
IGBT 600V,30A,250W,30KHz_с диодом_with diode

7,60 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275981
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2SA1286
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1286

302918
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор FCPF20N60C3
Полевые транзисторы

Транзистор FCPF20N60C3

295011
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Общий заряд затвора (Qg): 87 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm
View
Транзистор 2SK3354
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3354

304854
8,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 83 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 106 nC Время нарастания (tr): 1500...
View
Транзистор IRGIB15B60KD1
Полевые транзисторы

Транзистор IRGIB15B60KD1

276513
18,36 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 52W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.80V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 19A TO220FP
View
Транзистор K2605
Полевые транзисторы

Транзистор K2605

276593
5,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Общий заряд затвора (Qg): 34 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.2 Ohm Тип корпуса: TO220NIS
View
Транзистор P2003EVG sop8
Полевые транзисторы

Транзистор P2003EVG sop8

293339
8,00 BYN
Наименование прибора: P2003EVG Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 10 ns...
View
Транзистор STP34NM60ND
Полевые транзисторы

Транзистор STP34NM60ND

295611
10,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 210 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 29 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 70N06 to220
Полевые транзисторы

Транзистор 70N06 to220

293228
4,96 BYN
Наименование прибора: 70N06 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 70 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 79 ns...
View
Транзистор IRLZ24NS
Полевые транзисторы

Транзистор IRLZ24NS

282968
4,52 BYN
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 18 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.06 ом при 11a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 45 Крутизна характеристики, S 8.3...
View
Транзистор TK12A60U
Полевые транзисторы

Транзистор TK12A60U

276729
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
View
Транзистор STU413S
Полевые транзисторы

Транзистор STU413S

276723
4,44 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 22 A Общий заряд затвора (Qg): 67 nC Выходная емкость (Cd): 138 pf Сопротивление сток-исток открытого...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.