Транзистор STB25NM50N (B25NM50N)

Транзистор STB25NM50N (B25NM50N)

Артикул: 266062

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 160 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 22 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 84 nC

Время нарастания (tr): 23 ns

Выходная емкость (Cd): 511 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.14 Ohm

15,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

N-Channel 500V 0.11om - 22 A _ с диодом

266062
Новый товар

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRF4104
Полевые транзисторы

Транзистор IRF4104

275684
7,00 BYN
Полярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 120 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CСопротивление сток-исток открытого транзистора...
Транзистор 30N60RUFD
Полевые транзисторы

Транзистор 30N60RUFD

275982
34,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 80 Корпус: TO3P
Транзистор AO3413 (A1T)
Полевые транзисторы

Транзистор AO3413 (A1T)

276131
1,04 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
Транзистор IRG4BC30F
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4BC30F

276494
8,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 17A Максимальная температура перехода (Tj): 150
Транзистор TK7P50D
Полевые транзисторы

Транзистор TK7P50D

276744
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Транзистор 26NM50
Полевые транзисторы

Транзистор 26NM50

275968
14,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 313 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 30 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.