Транзистор K40H603 (IKW40N60H3)

Транзистор K40H603 (IKW40N60H3)

Артикул: 276640

Корпус TO-247
Вес 8 г
IGBT 600V,40A_с диодом_with diode
Напряжение, V: 600
IGBT с диодом: С диодом
Ток, A: 40

16,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276640
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор AO4620
Полевые транзисторы

Транзистор AO4620

276158
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.6 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.2(5.3) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор IRF8313
Полевые транзисторы

Транзистор IRF8313

276418
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.7 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0155 Ohm Тип корпуса: SO8

В этой категории 16 товаров:

Транзистор K10A60D (TK10A60D) to-220f/3
Полевые транзисторы

Транзистор K10A60D (TK10A60D) to-220f/3

265444
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SJ448
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ448

304668
22,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 15 nC Время нарастания (tr): 7 ns...
Транзистор STW20NK50Z
Полевые транзисторы

Транзистор STW20NK50Z

312642
24,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 47P06
Полевые транзисторы

Транзистор 47P06

276023
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 160 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 47 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор H10NK60ZFP изол.
Полевые транзисторы

Транзистор H10NK60ZFP изол.

293154
11,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK3366
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3366

311824
11,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 420 ns Выходная емкость (Cd): 250 pf...
Транзистор AP4501GM
Полевые транзисторы

Транзистор AP4501GM

276195
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7(5.3) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 5(10) ns Выходная емкость (Cd):...
Транзистор IPP60R165CP (6R165P) to220
Полевые транзисторы

Транзистор IPP60R165CP (6R165P) to220

293261
15,00 BYN
Наименование прибора: IPP60R165CP Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 21 A Общий заряд затвора (Qg): 39 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.165 Ohm Тип корпуса: TO220
Транзистор P1820ATF
Полевые транзисторы

Транзистор P1820ATF

312024
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 104 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK184BL
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK184BL

304750
27,00 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 250 Ohm
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.