Транзистор IRL3502S

Транзистор IRL3502S

Артикул: 265866

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 0.7 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 110 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 110 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

4,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Power MOSFET 20V_110A_0.007om

265866
Новый товар

Просмотренные товары

Бронзовый лист 0,3 х 200 х 300 мм БрОФ 6,0-0,2
Бронза лист

Бронзовый лист 0,3 х 200 х 300 мм БрОФ 6,0-0,2

19852
38,00 BYN
Маркировка БрОФ расшифровывается так: "Бр" — бронза, "О" — олово, "Ф" — фосфор. Помимо букв используются цифровые обозначения, которые показывают процентное соотношение легирующих элементов. Классификация : Бронза оловянная, обрабатываемая давлением К основным качествам бронзы БрОФ относится: пластичность и прочность; маленький коэффициент усадки;...
Транзистор IRFP054N
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP054N

259918
16,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 81 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор IRF2204 to220
Полевые транзисторы

Транзистор IRF2204 to220

293264
16,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 330 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 210 A Общий заряд затвора (Qg): 130 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0036 Ohm Тип...
Бронза БрБ2м лист 0,15 х 200 х 250 мм
Бронза лист

Бронза БрБ2м лист 0,15 х 200 х 250 мм

14093
64,00 BYN
БрБ2 — это безоловянная бериллиевая бронза, обрабатываемая давлением. Химический состав этого сплава описан в ГОСТ 18175-78 и включает в себя следующие компоненты: 96,9-98,0 % меди, 1,8-2,1 % бериллия, 0,2-0,5 % никеля и до 0,5 % примесей. Бронза БрБ2 нейтрально реагирует на многие агрессивные среды: растворы кислот и щелочей, морскую и пресную воду. При...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор FDS8947 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS8947 so8

293116
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.052 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор 2SK3296
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3296

304850
11,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 35 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 1220 ns Выходная емкость (Cd): 570 pf...
Транзистор FDD6637
Полевые транзисторы

Транзистор FDD6637

265884
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 57 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 35 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 55 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFB4110 to220
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB4110 to220

293274
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 370 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 180 A Общий заряд затвора (Qg): 150 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0045 Ohm Тип...
Транзистор 2SK3451
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3451

292983
11,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 34 nC Время нарастания (tr): 16...
Транзистор IPA65R1K5CE
Полевые транзисторы

Транзистор IPA65R1K5CE

311930
16,40 BYN
Маркировка: 65S1K5CE Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.2 A Максимальная температура канала...
Транзистор FDS6675 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6675 so8

293110
5,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1419
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1419

304726
19,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 43 ns Выходная емкость (Cd): 350 pf...
Транзистор AOP600 dip8
Полевые транзисторы

Транзистор AOP600 dip8

293040
9,20 BYN
Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 110 °C
Транзистор 2SK3711
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3711

304873
28,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор DMN4468LS
Полевые транзисторы

Транзистор DMN4468LS

311875
9,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.52 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.7 A Общий заряд затвора (Qg): 18.85 nC Выходная емкость (Cd): 867 pf Сопротивление сток-исток открытого...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.