Транзистор IRF9530

Транзистор IRF9530

Артикул: 303252
4,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 88 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 38 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

303252

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор K2679
Полевые транзисторы

Транзистор K2679

276598
4,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.5 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm Тип корпуса: TO220NIS
Транзистор 2NK90Z dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор 2NK90Z dpak (to252)

293190
4,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.1 A Общий заряд затвора (Qg): 19.5 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 6.5 Ohm
Транзистор IHW30N135R3
Полевые транзисторы

Транзистор IHW30N135R3

304999
32,00 BYN
Маркировка: H30R1353 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 349 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1350 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.65 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода...
Транзистор 2SK170 to92
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK170 to92

292961
2,00 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.02 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 55 Ohm
Транзистор 2SK3850 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3850 dpak (to252)

292992
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 15 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 11 ns Выходная емкость (Cd): 29 pf...
Транзистор IRFB4227
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB4227

276437
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 65 A Общий заряд затвора (Qg): 70 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.026 Ohm Тип...
Транзистор FDS6875 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6875 so8

293114
5,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 23 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm
Транзистор AP9918GJ ipak (to251)
Полевые транзисторы

Транзистор AP9918GJ ipak (to251)

293056
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 45 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 83 ns Выходная емкость (Cd): 310 pf...
Транзистор P2804ND5G
Полевые транзисторы

Транзистор P2804ND5G

276668
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 21 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 21 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm
Транзистор IPD30N10
Полевые транзисторы

Транзистор IPD30N10

304997
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 57 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.