Транзистор 55NE06 (STP55NE06,P55NE06) to-220

Транзистор 55NE06 (STP55NE06,P55NE06) to-220

Артикул: 266096

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 55 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 80 nC

Время нарастания (tr): 120 ns

Выходная емкость (Cd): 380 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022 Ohm

12,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

N-CHANNEL 60V ,55A ,130W_с диодом

266096
Новый товар

Просмотренные товары

Оплетка сталь оцинкованная ПСО 10 х 16 мм 1 м
Цинк ,Свинец

Оплетка сталь оцинкованная ПСО 10 х 16 мм 1 м

16200
15,00 BYN
Применение ПСО плетёнки:Плетенка ПСО предназначена для защиты от механических повреждений, усиления прочности, ограничения растяжения гибких металлических, резиновых рукавов, кабелей и других подобных изделий. Максимальная рабочая температура: 180 град. С. Наименьший диаметр экранируемого изделия плетенкой ПСО, мм - 10 Наибольший диаметр экранируемого...
View
Микросхема 1533ЛП5 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 1533ЛП5 Au

299857
10,20 BYN
Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ. Микросхемы 1533ЛП5 представляют собой четыре двухвходовых логических элементаИсключающее ИЛИ.Корпус типа 401.14-5.Диапазон рабочих температур: -60 +125 °С.Допустимое значение потенциала статического электричества: 200 ВНапряжение питания: 5,0 В ±10%Пример записи условного...
View
Транзистор STB25NM50N (B25NM50N)
Полевые транзисторы

Транзистор STB25NM50N (B25NM50N)

266062
15,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 160 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 22 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 12P10 (FQPF12P10) to-220f
Полевые транзисторы

Транзистор 12P10 (FQPF12P10) to-220f

265397
12,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 160 ns Выходная емкость (Cd): 220...
View
Транзистор 20N60C3 (SPA20N60C3)
Полевые транзисторы

Транзистор 20N60C3 (SPA20N60C3)

265404
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Общий заряд затвора (Qg): 87 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm
View
Транзистор SUD50N024-09P dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор SUD50N024-09P dpak (to252)

293427
6,40 BYN
Наименование прибора: SUD50N024-09P Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 22 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 49 A Максимальная температура...
View
Транзистор IRLZ24
Полевые транзисторы

Транзистор IRLZ24

265794
4,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 10 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm  to-220
View
Транзистор 2SK1464
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1464

292958
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 500 pf...
View
Транзистор STD7N52K3
Полевые транзисторы

Транзистор STD7N52K3

312039
8,00 BYN
Маркировка: 7N52K3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 525 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.2 A Максимальная температура канала (Tj):...
View
Транзистор IRF641
Полевые транзисторы

Транзистор IRF641

276386
4,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm Тип корпуса: TO220
View
Транзистор FDD850N10L
Полевые транзисторы

Транзистор FDD850N10L

311878
8,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15.7 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.