Транзистор AOD4286 dpak (to252)

Транзистор AOD4286 dpak (to252)

Артикул: 293026

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.9 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Время нарастания (tr): 2.5 ns

Выходная емкость (Cd): 30 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.068 Ohm

6,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293026

Просмотренные товары

Микросхема 286ЕП1 АПМ Au (форм.)
Микросхемы отечественные

Микросхема 286ЕП1 АПМ Au (форм.)

299953
10,80 BYN
Микросхема 286ЕП1АПМ - микроминиатюрное электронное устройство, все или часть элементов которого нераздельно связаны конструктивно и соединены между собой электрически.По своему функциональному назначению интегральные микросхемы делятся на две основные группы: аналоговые, или линейно-импульсные, и логические, или цифровые, микросхемы. Аналоговые...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 100N06P
Полевые транзисторы

Транзистор 100N06P

275863
4,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 130 ns Выходная емкость (Cd): 1060...
Транзистор IRFR310
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR310

276472
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 55NE06 (STP55NE06,P55NE06) to-220
Полевые транзисторы

Транзистор 55NE06 (STP55NE06,P55NE06) to-220

266096
12,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 55 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 80 nC Время нарастания (tr): 120...
Транзистор FDS6675 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6675 so8

293110
5,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1060
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1060

304695
16,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 40 ns Выходная емкость (Cd): 250 pf...
Транзистор HUF75637S
Полевые транзисторы

Транзистор HUF75637S

311924
10,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 155 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 44 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор STP34NM60N to220
Полевые транзисторы

Транзистор STP34NM60N to220

293422
21,20 BYN
Наименование прибора: STP34NM60N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 210 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 29 A Максимальная температура...
Транзистор AON7401 dfn 3x3_ep
Полевые транзисторы

Транзистор AON7401 dfn 3x3_ep

293037
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 29 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 35 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
Транзистор TK8A65D
Полевые транзисторы

Транзистор TK8A65D

276747
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор HUF75229P3
Полевые транзисторы

Транзистор HUF75229P3

293253
19,20 BYN
Наименование прибора: HUF75229P3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 44 A Максимальная температура...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.