Транзистор FQA11N90C

Транзистор FQA11N90C

Артикул: 302477

Труба MOS 

28,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Номинальное Напряжение (DC)
900 V
Номинальный Ток
11.0 A
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
1.10 Ω
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
300 W
Напряжение Сток-исток (Vds)
900 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
900 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)
±30.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
11.0 A
Время Нарастания
130 ns
Входная емкость (Ciss)
3290pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность
300 W
Время падения
85 ns
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
300W (Tc)
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-3-3
размеры
Длина
16.2 mm
Ширина
5 mm
Высота
20.1 mm
Корпус/Пакет
TO-3-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
302477

Просмотренные товары

Транзистор H33N10 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H33N10 to220

293191
0,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 33 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная...

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK3673
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3673

304866
18,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 6 ns Выходная емкость (Cd): 140 pf...
Транзистор AP9962AGH
Полевые транзисторы

Транзистор AP9962AGH

276230
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27.8 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 32 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор IRGIB15B60KD1
Полевые транзисторы

Транзистор IRGIB15B60KD1

276513
18,36 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 52W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.80V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 19A TO220FP
Транзистор 2SK1469
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1469

304731
22,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 15 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 40 ns Выходная емкость (Cd): 550 pf...
Транзистор 2SK1573
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1573

304740
37,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 105 ns Выходная емкость (Cd): 700...
Транзистор 2SJ599
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ599

304677
9,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 9 ns Выходная емкость (Cd): 150 pf...
Транзистор FDS6690 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6690 so8

293113
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK904
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK904

304901
9,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время включения...
Транзистор FDD8778 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор FDD8778 dpak (to252)

293103
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 35 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.