Транзистор FQA11N90C

Транзистор FQA11N90C

Артикул: 302477

Труба MOS 

28,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Номинальное Напряжение (DC)
900 V
Номинальный Ток
11.0 A
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
1.10 Ω
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
300 W
Напряжение Сток-исток (Vds)
900 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
900 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)
±30.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
11.0 A
Время Нарастания
130 ns
Входная емкость (Ciss)
3290pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность
300 W
Время падения
85 ns
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
300W (Tc)
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-3-3
размеры
Длина
16.2 mm
Ширина
5 mm
Высота
20.1 mm
Корпус/Пакет
TO-3-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
302477

Просмотренные товары

Микросхема 541РУ5 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 541РУ5 Au

300439
19,40 BYN
Микросхема 541РУ5 - микроминиатюрное электронное устройство, все или часть элементов которого нераздельно связаны конструктивно и соединены между собой электрически.По своему функциональному назначению интегральные микросхемы делятся на две основные группы: аналоговые, или линейно-импульсные, и логические, или цифровые, микросхемы. Аналоговые микросхемы...
Транзистор MJ15025 to3
Биполярные транзисторы

Транзистор MJ15025 to3

293309
39,00 BYN
Наименование производителя: MJ15025 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A...
Нихром Х20Н80...
Нихром Х20Н80 на катушках

Нихром Х20Н80...

290531
323,60 BYN
Нихром Х20Н80 имеет удачное сочетание высокого электрического сопротивления и жаростойкости. Минимальный коэффициент линейного расширения позволяет проволоке не провисать при высоких температурах. Проволока Х20Н80 обладает рабочей температурой до 1200 °С. Поверхностный оксид хрома придает сплаву отличную коррозионную стойкость, что позволяет использовать...
Транзистор 2SJ6920 2-21F1A
Транзисторы IGBT

Транзистор 2SJ6920 2-21F1A

295045
20,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A Статический коэффициент передачи тока...

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор K126
Полевые транзисторы

Транзистор K126

276562
8,56 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор J476
Полевые транзисторы

Транзистор J476

276554
13,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 33.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор 70NF03
Полевые транзисторы

Транзистор 70NF03

312580
3,68 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 18 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1350
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1350

292955
23,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 580 pf...
Транзистор 52N15DPBF
Полевые транзисторы

Транзистор 52N15DPBF

276036
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 51 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1539
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1539

304738
21,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 72 nC Время включения (ton): 115...
Транзистор 2SJ377
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ377

304667
20,40 BYN
Маркировка: J377 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
Транзистор STP34NM60ND
Полевые транзисторы

Транзистор STP34NM60ND

295611
10,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 210 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 29 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFPC60LC
Полевые транзисторы

Транзистор IRFPC60LC

294956
33,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 280 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 16 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.