Транзистор IRF3805PBF

Транзистор IRF3805PBF

Артикул: 303081

Труба MOS

32,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

технические

Номинальная Мощность130 W

Количество Каналов1

Количество Стежков3

Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)0.0026 Ω

ПолярностьN-Channel

Рассеяние Мощности300 W

Пороговое Напряжение4 V

Напряжение Сток-исток (Vds)55 V

Пробивное Напряжение (Стока-исток)55 V

Непрерывный Ток Стока (Ids)210A

Время Нарастания20 ns

Входная емкость (Ciss)7960pF @25V(Vds)

Время падения78 ns

Рабочая температура (Макс)175 ℃

Рабочая температура (мин)-55 ℃

Рассеиваемая Мощность (Макс)300W (Tc)

пакет

Стиль МонтажаThrough Hole

Количество Выводов3

Корпус/ПакетTO-220-3

размеры

Длина10.67 mm

Ширина4.83 mm

Высота16.51 mm

Корпус/ПакетTO-220-3

физическое

МатериалSilicon

Рабочая Температура-55℃ ~ 175℃ (TJ)

303081

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 5N52U
Полевые транзисторы

Транзистор 5N52U

276043
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 525 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK3469
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3469

304859
16,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 30 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор 6N50S
Полевые транзисторы

Транзистор 6N50S

276073
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 89 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 85 pf...
Транзистор APM9932C so8
Полевые транзисторы

Транзистор APM9932C so8

293067
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9(6) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds):...
Транзистор H20NM60 to247
Полевые транзисторы

Транзистор H20NM60 to247

293181
19,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Общий заряд затвора (Qg): 39 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.29 Ohm
Транзистор STM6960 SO8
Полевые транзисторы

Транзистор STM6960 SO8

276718
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.5 A Общий заряд затвора (Qg): 55 nC Выходная емкость (Cd): 75 pf Сопротивление сток-исток открытого...
Транзистор AO4704
Полевые транзисторы

Транзистор AO4704

276159
3,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 4.8 ns Выходная емкость (Cd): 322 pf...
Транзистор K2188
Полевые транзисторы

Транзистор K2188

276579
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 70* ns Выходная емкость (Cd): 200 pf...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.