Транзистор TPC8402

Транзистор TPC8402

Артикул: 276755

Silicon Dual MOSFET,N-channel: Vdss=30V, Id=5A, Rds(on)=37 mOhm,P-channel: Vdss=30V, Id=4,5A, Rds(on)=27 mOhm, Pd=1,9W (This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution)

5,36 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276755
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор D1460
Биполярные транзисторы

Транзистор D1460

275602
16,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 60R600CP
Полевые транзисторы

Транзистор 60R600CP

276071
8,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор H2N60 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H2N60 to220

293188
4,40 BYN
Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.6...
Транзистор 35NF06LT4
Полевые транзисторы

Транзистор 35NF06LT4

275991
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 35 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK3850 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3850 dpak (to252)

292992
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 15 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 11 ns Выходная емкость (Cd): 29 pf...
Транзистор RFP70N06
Полевые транзисторы

Транзистор RFP70N06

312633
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор IRG4PH30K
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4PH30K

276505
14,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10A Максимальная температура перехода (Tj): 175 TO247
Транзистор CEP703AL
Полевые транзисторы

Транзистор CEP703AL

276303
3,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.