Транзистор FCB11N60TM

Транзистор FCB11N60TM

Артикул: 311876

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 98 ns

Выходная емкость (Cd): 671 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.38 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

18,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
311876

Просмотренные товары

Полиимидная лента ПМ-А 0,15 х 300 мм х 33 метра (брутто...
Полиимидная лента, листы

Полиимидная лента ПМ-А 0,15 х 300 мм х 33 метра (брутто 2,72)

17337
1 466,00 BYN
Полиимидная пленка на сегодняшний день – это один из самых перспективных материалов. Материалу присущи очень хорошие диэлектрические, и другие физические и технические (физико-математические) свойства. Пленка ПМА не горюча, имеет высокую износостойкость, термостойкость, большую устойчивость к воздействию масел, кислот, растворителей и радиации. Пленка ПМ...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор STW19NM50N
Полевые транзисторы

Транзистор STW19NM50N

312052
16,00 BYN
Маркировка: 19NM50N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A Максимальная температура канала (Tj):...
Транзистор 2SK2231 sc-64 (ipak,to251)
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2231 sc-64 (ipak,to251)

292968
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Транзистор 2SK2628
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2628

304804
12,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 35 ns Выходная емкость (Cd): 320 pf...
Транзистор AON7408
Полевые транзисторы

Транзистор AON7408

276178
1,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 11 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.6 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 2SJ5027F
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ5027F

304671
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SK1286
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1286

304715
18,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 30 nC Время нарастания (tr): 160...
Транзистор IRF9973
Полевые транзисторы

Транзистор IRF9973

276430
18,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 15 ns Выходная емкость (Cd): 77 pf...
Транзистор AP9926GEM
Полевые транзисторы

Транзистор AP9926GEM

311843
25,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 9 ns Выходная емкость (Cd): 190 pf...
Транзистор 04N50C3
Полевые транзисторы

Транзистор 04N50C3

275853
2,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.5 A Общий заряд затвора (Qg): 22 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.95 Ohm Тип корпуса: DPAK
Транзистор K3469
Полевые транзисторы

Транзистор K3469

276629
16,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 30 nC Сопротивление сток-исток...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.