Транзистор K40H1203 (IKW40N120H3)

Транзистор K40H1203 (IKW40N120H3)

Артикул: 276639

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 483W

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.05V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A

33,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276639
Новый товар

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK1404
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1404

304723
9,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 45 ns Выходная емкость (Cd): 250 pf...
View
Транзистор SSF10N90A
Полевые транзисторы

Транзистор SSF10N90A

302445
33,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий...
View
Транзистор 30N60RUFD
Полевые транзисторы

Транзистор 30N60RUFD

275982
34,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 80 Корпус: TO3P
View
Транзистор 35N60C3
Полевые транзисторы

Транзистор 35N60C3

275990
28,44 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 313 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 34.6 A Общий заряд затвора (Qg): 150 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm Тип корпуса: TO247
View
Транзистор IRG7R313U
Полевые транзисторы

Транзистор IRG7R313U

276510
5,52 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 78W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.35V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A DPAK
View
Транзистор K3265
Полевые транзисторы

Транзистор K3265

276624
5,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 700 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Общий заряд затвора (Qg): 53 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.72 Ohm
View
Транзистор 2SK2876
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2876

304826
12,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 35 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 40 ns Выходная емкость (Cd): 100 pf...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.