Транзистор RSS060P05

Транзистор RSS060P05

Артикул: 293369

Наименование прибора: RSS060P05

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 45 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 23 nC

Время нарастания (tr): 28 ns

Выходная емкость (Cd): 360 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.036 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

6,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293369

Просмотренные товары

Транзистор 2SK2605
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2605

292974
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Общий заряд затвора (Qg): 34 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.2 Ohm
View
Транзистор 2Т809А
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т809А

301056
15,00 BYN
Транзисторы 2Т809А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса транзистора без накладного фланца не более 22 г.Масса накидного фланца не более 12 г.Тип корпуса: КТЮ-3-20.Технические условия:...
View
Транзистор 2SC1906
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1906

303512
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 19 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRG4PC50K
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4PC50K

276502
22,36 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30A Максимальная температура перехода (Tj): 175 Корпус: TO247AC
View
Транзистор 2SK369BL
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK369BL

304869
21,60 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.02 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 40 Ohm Тип корпуса: TO92
View
Транзистор K494
Полевые транзисторы

Транзистор K494

276644
3,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 74 nC Время нарастания (tr): 160...
View
Транзистор 2SK1643
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1643

304744
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 60 nC Время нарастания (tr): 18...
View
Транзистор 2SK2617
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2617

304802
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 15 ns Выходная емкость (Cd): 190 pf...
View
Транзистор AP4957GM
Полевые транзисторы

Транзистор AP4957GM

295041
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
View
Транзистор IRF7473
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7473

276410
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор AP40T03GP to220
Полевые транзисторы

Транзистор AP40T03GP to220

293046
11,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 28 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 62 ns Выходная емкость (Cd): 145...
View
Транзистор FQPF13N50C (13N50C)
Полевые транзисторы

Транзистор FQPF13N50C (13N50C)

265434
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 195 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SK2196
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2196

304770
9,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 500 pf Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор STM8401 so8
Полевые транзисторы

Транзистор STM8401 so8

293418
8,80 BYN
Наименование прибора: STM8401 Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Общий заряд затвора (Qg): 104 nC Выходная емкость (Cd): 152 pf Сопротивление...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.